| 组成部分 | 功能 | 工作原理 |
|---|---|---|
| 单晶体管 | 存储单元 | 作为二进信号的存储单元，晶体管中加入了浮动栅和控栅。 |
| 浮动栅 | 电子存储 | 用于存储电子，表面一层硅氧化物绝缘体所包覆。 |
| 控栅 | 数据控 | 通过电容与控栅相耦合，控电子的注入和移除。 |
| 隧道氧化层 | 写入机 | 第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层，用于写入数据。 |
| 源极和漏极 | 数据读取和擦除 | 源极和漏极之间电流单向传导，用于数据读取和擦除。 |
| 闪存单元电路 | 基本单元 | 由双层浮空栅MOS管组成，用于存储数据。 |
| 硅氧化膜绝缘体 | 保护层 | 保护浮动栅中的电子不漏。 |
| 组成部分 | 功能 | 工作原理 |
|---|---|---|
| 单晶体管 | 存储单元 | 作为二进信号的存储单元，晶体管中加入了浮动栅和控栅。 |
| 浮动栅 | 电子存储 | 用于存储电子，表面一层硅氧化物绝缘体所包覆。 |
| 控栅 | 数据控 | 通过电容与控栅相耦合，控电子的注入和移除。 |
| 隧道氧化层 | 写入机 | 第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层，用于写入数据。 |
| 源极和漏极 | 数据读取和擦除 | 源极和漏极之间电流单向传导，用于数据读取和擦除。 |
| 闪存单元电路 | 基本单元 | 由双层浮空栅MOS管组成，用于存储数据。 |
| 硅氧化膜绝缘体 | 保护层 | 保护浮动栅中的电子不漏。 |