2024年内存条场呈现以下几大趋势:
1. 价格上涨:根据场分析,2024年内存价格已经上涨了53%,预计明年还将继续上涨35%。 这种涨价趋势主要受到原材料成本上升、供需关系紧张以及新技术的推广等因素影响。
2. 场收入增:随着价格上涨,上游供应链的收入也在增加。 预计2024年DRAM行业的收入将增75%,NAND闪存行业收入将增77%。
3. 技术升级:3D架构和异构集成技术的发展推动了内存场增。 例如,DDR5系列产品的下游率正在提升,同时,澜起科技等企业正在推进DDR5芯片的迭代开发。
4. 新产品应用:随着AI技术的快速发展,内存需求增。 HBM(高带宽内存)在AI域的推动下,预计将贡献5%的出货容量和20%的收入。
5. 行业收入增:2024年全球半导体内存场预计将从2023年的960亿美元增至2340亿美元,年复合增率为16%。 其中,DRAM收入预计将达到980亿美元,同比增88%,NAND收入预计为680亿美元,同比增74%。
6. 合约价上调:由于场需求增和供需结构改善,预计第三季度Conventional DRAM的合约价涨幅将超出之前的预期。
7. 笔记本电脑内存容量提升:2024年笔记本电脑的平均内存预计将达到11.8GB,同比增12%。 随着AI应用的推广,预计AI笔记本电脑的率将迅速提升,推动内存容量进一步增加。
8. LPDDR取代DDR:AI PC的发展将推动LPDDR(低功耗DDR)对传统DDR的取代趋势。
综上所述,2024年内存条场将继续保增态势,技术升级、新产品应用和场需求增是主要推动力。 同时,价格上涨也将是一个显著趋势。