内存超频到3600需要怎么调
本文目录一览一、朗科绝影3600超频设置首先，对内存进行超频。 在华硕BIOS界面按F7进入高级模式，在Aitweaker一栏找到内存频率，这个就是要设置的内存频率，下面将FCLK频率设置为上面的一半，即内存3200MHz，并设置FLCK设置为1600MHz。 设置好后按F10保存，看看是否可以开机。 如果无法开机，稍等片刻，机器会自动回去稍微增加内存电压。 内存电压为1.2V，可以逐渐增加电压0.01V，对于初学者不建议超过1.4V。 接下来，进入CPU超频部分。 这叫超频，但是因为我的3600是2019年中期的产品，是出厂灰烬，所以我只想锁定频率。 在BIOS界面的AdvancedOverview中，关闭VMDCBS中的TurboFrequency和EnergySaving，然后进入AitweakerOverview中的DIGI+VRM，将Anti-VoltageDrop设置为High。 最后，您可以设置频率。 这里，设置4.1Ghz，电压为手动1.22v。 设置完成后，在Aida64上按F10保存，观察超频的稳定性。 如果超频后可以开机但无法稳定通过FPU单烤测试，可以降低频率或者提高电压，这里我只尝试了1.2到1.4V的范围，电压提升也是0.01V。 （这里注意一下，手动设置CPU电压的时候要小心，有的主板可以直接输入电压，比如1.25v，有的加大电压，它有一个基准电压，比如我的基准电压是1.1v，你的这个数字是多少？以此为基础输入，例如加0.15v、1.1v后就是1.25v）如果超频失败，电脑无法开机，可以关闭并断开电源，将主板上的电池取出来进行放电，BIOS将重置为默认设置并重新启动。 二、amd3600超频教程1.使用方“AMDRYZENMASTER”软件超频。 推荐使用方“AMDRYZENMASTER”软件进行超频。 方法非常简单。 我们选择一个配置文件并更改CPU频率和核心电压等，然后我们更改核心频率。 另外，电压也应相应提高。 建议逐渐提高核心频率。
二：在主板BIOS中设置超频。
1、开机后，反复按Delete键进入BIOS界面，将语言设置为“简体中文”，按F7键开机键盘进入高级模式。 我们的CPU频率默认是3.5GHz，内存频率默认只有2133
2。 至于内存超频方法，在AI超频设置中，开启D.O.C.P模式。 如果你的内存频率是3200，我们会把它设置为3200甚至更高，特别是你能超频多少取决于你的内存超频潜力。
至于CPU超频方法，比如我们的CPU默认主频是3.5GHz，相当于35。 我们建议每次增加主频率0.1，即h.将其微调为36。 37和38.自定义完成后，按F10保存BIOS设置。 三、科赋内存条怎么超频到3600mhz？
当金士顿3200内存超频到3600时，最佳时序是18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟(CL)设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟(tRCD)设置为22个时钟周期，行预充电时间(tRP)设置为22个时钟周期，行使能到预充电时间(tRAS)设置为42个时钟周期。 您可以在保稳定性的同时获得更高的性能。
二：在主板BIOS中设置超频。
1、开机后，反复按Delete键进入BIOS界面，将语言设置为“简体中文”，按F7键开机键盘进入高级模式。 我们的CPU频率默认是3.5GHz，内存频率默认只有2133
2。 至于内存超频方法，在AI超频设置中，开启D.O.C.P模式。 如果你的内存频率是3200，我们会把它设置为3200甚至更高，特别是你能超频多少取决于你的内存超频潜力。
至于CPU超频方法，比如我们的CPU默认主频是3.5GHz，相当于35。 我们建议每次增加主频率0.1，即h.将其微调为36。 37和38.自定义完成后，按F10保存BIOS设置。 三、科赋内存条怎么超频到3600mhz？
建议超频电压设置为1.4V，比较稳定。
每个条带的构成不同，参数可能略有不同。 对于超级内存来说，无非就是加电压、改频率、测试。 在这个循序渐进的循环中，你可以先放慢速度。 慢慢添加，比如先3000，再3200，再3600。 在增加频率的同时，逐步增加电压。
以0.2V逐步添加。 有时当你设置某个电压时，它可能会跳到附近的值，所以不用担心。 内存电压不要超过1.4V，超过3600的内存电压是1.35V就差不多了，这个频率比较容易超过。 时序可以调整为C17甚至C16。 一步一步、慢慢地尝试。
每增加一次外频后，按“F10”保存并重启一次，直到成功进入系统并手动重启后，继续增加外频，重复以上步骤执行以上作直至CPU超限。 到理想的频率。
超频后稳定性测试：
当超频过多而无法进入系统时，以5为步调降低外频。 成功进入系统后，使用ORHTOS软件烤机，测试超频后CPU和内存是否稳定。 如果稳定，说明超频非常成功。
当金士顿3200内存超频到3600时，最佳时序是18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟(CL)设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟(tRCD)设置为22个时钟周期，行预充电时间(tRP)设置为22个时钟周期，行使能到预充电时间(tRAS)设置为42个时钟周期。 您可以在保稳定性的同时获得更高的性能。