内存2n和1n

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• 壹、三菱PLC1N系列和2N系列有什么区别？
• 贰、内存的时序越低越好吗？
• 叁、电子元件中,有1N****,2N等型号,请冲模下这1N,2N等都有什么不同之处,之前有说4N60与5N60是一样的,是这吗

壹、三菱PLC1N系列和2N系列有什么区别？哈哈，我也是初学者。 我认为区别在于：1N的命令支较少，功能也不如2N强大。 我学习的时候，很多指令是不需要在1NPLC上程的。

贰、内存的时序越低越好吗？

低内存计时是好的。

内存时序是代表SDRAM（同步动态随机存取存储器）性能的四个参数CL、TRCD、TRP、TRAS，单位是时钟周期。 它通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。 第四个参数（RAS）经常略，第五个参数Commandrate有时添加，通常也写为2T、1T、2N或1N。

这些参数指定延迟（latency），它影响随机存取存储器的速度。 较低的数字通常会带来更快的性能。 决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL(CASLatency)：列地址访问的延迟是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间。 由于tRCD只是一个估计值，因此对该值的微小更改不会显着改变内存性能。

tRP(RASPrechargeTime)：存储器行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS(RASActiveTime)：行地址处于活动状态的时间，简单理解为向内存写入或读取数据的时间，通常接近前三个参数的总和。

叁、电子元件中,有1N****,2N等型号,请冲模下这1N,2N等都有什么不同之处,之前有说4N60与5N60是一样的,是这吗骰子下面的赔率是什么意思？从电气性能上来说，它肯定和碧辉不一样。 如果是MOS管，4N60参数为4A/600V，5N60参数为5A/600V。 这里的1N和2N基本上指的是电流，其他分量指的是电流。