内存条DDR2与DDR3的区别
DDR：
DDR使用一个周期来回传输数据，因此传输量同时加倍，因此就像以两倍的工作频率运行一样。 为了直观起见，对其进行了命名，因此命名为DDR200266333400。
DDR2：
虽然DDR2的工作频率没有改变，但是DDR的数据传输位宽从2位增加到了4位，因此同时传输的数据是两倍。 DDR，所以它也使用等。 有效频率被命名为DDR2400533667800。
DDR3：
DDR3内存不会提高运行频率。 它继续将数据传输位宽提高到8位，是DDR2的两倍。 也以相同的频率运行，实现更高的带宽，因此等效名称为DDR3800106613331600。
所以我们可以看到DDR400DDR2800DDR31600内存的运行频率没有差别，只是由于传输数据位宽加倍而导致带宽增加。
内存的实际工作频率是由延迟决定的。 DDR400和DDR2800的实际工作频率是相同的。 后者的带宽是前者的两倍，并且延迟相同。 如果是DDR400和DDR2667，后者虽然带宽更大，但实际频率较低，延迟也稍大。
DDR2与DDR的区别：
1.预取率和数量
实际运行频率。 DDR2DDR2内存的速度是DDR的两倍，其预期4位容量是标准DDR内存的两倍。
2.封装及电压
DDR封装为TSOPII，DDR2封装为FBGA
DDR标准电压为2.5V，DDR2标准电压为1.8V。
3.位预取
DDR是2位预取，DDR2是4位预取。
4.新技术介绍
DDR2引入了OCD、ODT和POST
(1)ODT：ODT是集成内核的终端电阻。 .其作用是让DQS、RDQS、DQ和DM信号在终端电阻处消耗掉，防止这些信号在电路上反射；
(2)PostCAS：旨在改善。 DDR2内存的使用效率；
当没有pre -CAS功能时，其他L-Bank的寻址操作可能会因为当前行的CAS命令占用地址线而延迟，而DataI当使用pre -CAS时，发生/O总线空闲，可消除命令冲突并提高数据总线利用率“数据I/O”。
（3）OCD（Off-ChipDriver）：离线驱动设置，DDR2可以通过OCD提高信号完整性。 OCD的作用是调整DQS和DQ之间的时序以保证质量。 信号完整性和可靠性。 OCD的主要目的是调整I/O接口处的电压来补偿上拉和下拉电阻的值，目的是最小化DQS数据和DQ之间的差异。 信号。
调整时，分别测试DQS高电平、DQ高电平与DQS低电平、DQ高电平的同步性。 如果不满足要求，请使用定义突发长度的地址线。 发送上拉/下拉电阻电平，测试合格后OCD操作才会完成。
DDR3和DDR2的区别：
2.DDR3采用CSP和FBGA封装，8位芯片采用78球FBGA封装，16位芯片采用96球FBGA封装，DDR2有三种规格：60/68/84球FBGA封装；
3.逻辑Bank数量，DDR2有4个Bank和8个Bank，而DDR3有8个起始Bank
4。 为8位，因此突发传输周期（BL，BurstLength）也设置为8位，对于DDR2系统和早期DDR架构，也常用BL=4；
DDR3增加了一个4-位BurstChop（突发突变）用于此目的，它由一个BL=4的读操作加上一个BL=4的写操作组合成一个BL=8的数据突发传输。 然后可以通过A112位地址控制该突发模式线;
5.地址同步（Timing），DDR2AL为0到4，DDR3为0，CL-1和CL-2。 另外，DDR3还增加了一个时序参数——写入延迟（CWD）。
6.bitpre -fetch：DDR2为4bitpre -fetch，DDR3为8bitpre -fetch；
7.新增功能，ZQ是一个新引脚，将其连接到添加了240欧姆低容差参考电阻和新暴露的可编程温控内存时钟频率功能SRT（Self-ReflashTemperature）
添加了部分阵列刷新功能PASR（PartialArraySelf-Refresh），可以看作是使整个存储体能够更高效地进行数据读写，以达到节能的目的；
9.to-point，p2p）连接，这是为了提高系统性能而做出的重要改变；