内存时序四个参数越低越好吗

参数 含义 越低越好？ CL (延迟) 内存芯片响应命令到开始传输数据的延迟时间 是 tRCD (行预充电延迟) 内存芯片切换到不同行时所需的延迟时间 是 tRP (行激活延迟) 内存芯片激活新行时所需的延迟时间 是 tRAS (行关闭延迟) 内存芯片关闭当前行时所需的延迟时间 是

说明：
内存时序参数越低，意味着内存响应速度越快，性能越强。
通常，内存时序参数越低，价格越高。
在选择内存时，需要综合考虑时序参数、频率、容量和价格等因素。