解码内存奥秘一篇文章带你轻松掌握内存条关键参数
- ˙＾˙内存的参数有哪些？
- ⊙△⊙内存条的参数到底怎么看？
- ˋωˊ内存的性能指标
(1)容量。 当然内存容量越大越好，但是主板支持的最大容量是有限的。 单条DDR内存的容量包括128MB、256MB、512MB、1GB和2GB。 主板通常提供两个内存插槽。
(2)电压。 SDRAM的工作电压为3.3V，DDR为2.5V，DDR2为1.8V，DDR3为1.5V。
(3)tCK时钟周期。 tCK时钟周期代表存储器可以运行的最大频率。 一般以访问一次数据所需的时间（
单位为ns，纳秒）作为结果。 指标通常存储芯片型号背面印有-60、-10、-7字样，表示存取速度为60ns、10ns、7ns。 SDRAM内存速度可以达到7ns，DDR内存达到5ns。
(4)CAS延迟。 CL简称CL，是指从内存访问数据所需的延迟时间，即内存接收CPU命令的响应速度。 一般参数值为2和3。 数字越小，时间越短。
（5）SPD芯片。 SPD（串行存在检测）是一个连接到记忆棒的8针ROM芯片，容量为256字节。 主要指内存的相关信息，如容量、设备、设备内存模块等。
(6)内存行数。 即金手指接触点的数量，包括72线、168线、184线、240线等。
(7)ECC验证。 ECC是一种新的内存验证技术。 这就像传统的平等。 所不同的是，ECC可以纠正多个检测到的错误，奇偶校验不能被检查，从而使系统可以不间断地工作，并且不中断损坏的数据，为务器和服务的稳定运行提供了次要条件。
（8）公交车频率。 我们所说的DDR266、DDR333、DDR400中的“266”、“333”、“400”指的是内存总线的频率。
(9)给定但是。 同时传递的信息或记忆的数量。 内存总线的数据带宽是通过内存的频率来计算的。
1.内存代数
内存代数是指内存技术标准的产生。 例如：DDR4是指第四代DDR内存。 一般来说，代数越高，性能越好。 主板一般只支持某一代内存，所以一定要检查主板支持的内存代数。
2.内存频率
内存频率是决定内存性能的重要参数。 一般来说，频率越高，性能越好。 但主板通常都有支持的频率范围。 如果你是购买新电脑，尽量选择性价比最好的频率。 如果是扩容，尽量与旧内存条保持一致。 由于双通道技术需要相同的工作频率，因此在降低频率的情况下会使用高工作频率。
3.最大内存容量
最大内存容量是指主板支持的内存总容量。 一般来说，支持越大，未来的扩张就越好。 购买内存时一定要计算好现有内存和新购买的内存之和不能超过这个总数。
从采购角度：
1．确定您需要的容量。 从此时开始，两条8g内存，即16g内存。
2.从日常办公、游戏、影音的角度来看，你很难分辨出2666频率内存和3600频率内存的区别，所以没必要盲目选择频率。 在16g双通道内存（8g*2）的情况下，性能差异不会超过5%
3。 如果你对内存频率值有一定的追求，那么在选择高频内存条的同时，内存条的工作时序，值越小，内存的数据交互能力越强。
4.关于内存电压，除非需要自己手动超频，一般不需要特别关注。
内存性能指标包括以下几个方面。
1.存储速度：内存的存储速度用访问一次数据所需的时间来表示。 单位为纳秒，记为ns。 1秒=10亿纳秒，即1纳秒=10ˉ9秒。 。 Ns值越小，访问时间越短，速度越快。
2.容量：内存容量越大，越不容易卡顿，但受限于主板支持的最大容量。 单条内存的容量有1GB、2GB、4GB等。 主板通常至少提供两个内存插槽。 如果有多个内存插槽，则计算机的总内存容量为所有内存容量的总和。
3.CLCL是CASLstency的缩写，即CAS延迟时间，指的是存储器纵向寻址脉冲的响应时间。 是衡量不同规格内存在一定频率下的重要指标之一。
4.SPD芯片SPD是一块8引脚256字节EERROM（电可擦可编程只读存储器）芯片。 位置一般在内存条正面右侧，记录着内存等信息。 参数信息，例如速度、容、电压、行和列地址以及带宽。 当开机时，计算机的BIOS会自动读取SPD中记录的信息。
5.工作电压：由于低压存储器必须比标准电压低1.5V才能保证稳定运行，因此低压存储器的生产对质量要求更高。 内存出厂时的电压越高，内存的质量就越低。 嗯，这就是低压存储器的优点之一。 因此，高电压内存模块和低压内存模块的区别在于，低压内存模块比高压内存模块消耗更少的功率，并且更加环保。
扩展信息：
内存的结构和原理。
存储器的内部结构是PC芯片中最简单的。 它是由许多重复的“单位”——细胞组成的。 每个单元由一个电容器和一个晶体管（通常是N沟道MOSFET）组成。 ，电容可存储1位数据，充放电后的电荷量（电位电平）分别对应二进制数据0和1。
因为电容会漏电，使用一段时间后电荷就会丢失，导致电位不足，数据丢失。 因此，必须经常进行充电以维持电位。 这种充电动作称为刷新，因此动态存储器具有刷新特性，这种刷新操作会一直持续到数据发生变化或电源关闭为止。
MOSFET是控制电容器充放电的开关。 由于其结构简单，DRAM可以实现小面积和大存储容量。
