ddr4内存的默认时序是多少
发布:春叔南
DDR4内存频率越高速度越快吗?高低频DDR4内存实测差异
不久前,三星宣布量产18nmDRAM内存颗粒,随着技术的不断进步,内存颗粒的价格不断下降。 虽然DDR4内存还没有完全普及,但标配的8GBDDR42133内存已经跌破200元。 许多用户使用16GB内存,另一方面,内存技术的进步也带来了高频。 DDR4内存的价格不再无与伦比,单条8GBDDR43000内存已经跌至400元以内。
对于热情的频玩家来说,他们总是喜欢挖掘平台的最新潜力。 购买内存时,他们不会选择高频内存。 但对于普通消费者来说,由于内存价格普遍下降,他们选择了。 选择高频内存,现在合适吗?低频内存和高频内存对平台性能影响大吗,多花的钱值得吗?高频和低频内存设置给用户全面的讲解。
DDR4内存
我们知道DDR4内存的起始频率是DDR42133MHz。 这里作者将其定义为低频内存。 理论上来说,频率高于DDR42133MHz的内存就可以称为高端内存了。 不过DDR42400及2666MHz内存相对于DDR42133MHz的提升并不明显,而且市面上像DDR42666这样的内存也很少,所以笔者这里将DDR43000MHz及以上内存定义为高频内存。 本次测试的内存频率仅为DDR43000MHz。
具体规格方面,低频DDR42133MHz内存时序为15-15-15-362T,高频DDR43000MHz内存时序为15-16-16-362T。 测试的两组内存均为双通道8GB*2组合。
高低配DDR4内存测试平台
在测试平台方面,为了尽量减少平台对内存性能造成的瓶颈,测试使用了IntelZ170+Corei7-6700K处理器,处理器保持默认频率,搭配GeForceGTX960显卡,显卡和显存的核心频率分别为1216/1279MHz和7012MHz。
AIDA64内存带宽和WinRAR测试
首先要做的是AIDA64内存带宽测试。 该项目主要包括内存读取、写入、复制和延时设置,并提供简单而全面的硬件信息测试功能。 ,让用户了解平台硬件配置的准确信息。
DDR43000内存的读写带宽相比DDR42133显着提升,延迟也显着降低。 DDR42133内存的读取、写入和复制带宽分别为31,015MB/s、32,486MB/s和30,680MB/s;DDR43000内存的读取、写入和复制带宽分别为43,242MB/s、44,568MB/s和41,447MB/s。 ⑵Ddr2,ddr3,ddr4内存的读写速率
双通道两次同步动态随机存取存储器。 DDR2内存预取已增加至4位(DDR的两倍)。 DDR2的I/O频率是DDR的两倍,即266、333和400MHz。 例如:核心频率也有133~200MHz的颗粒,在I/O频率增加的影响下,此时的DDR2传输速度大约变化为133~200MHz。 533~800MT/s,常见内存规格如DDR2533和DDR2800。
它是一款双通道三重同步动态随机存取存储器。 DDR3内存预取增加到8位,即每次访问一组8位数据。 DDR3传输速率范围为800至1600MT/s。 另外,DDR3规范要求电压控制在1.5V,比DDR2的1.8V更加省电。 DDR3还增加了ASR(自动自刷新)和SRT(自刷新温度)两项新功能,可以让内存在睡眠期间温度变化时控制内存颗粒的充电速率,以保证系统数据的完整性。
DDR4提供比DDR3/DDR2更低的1.2V供电电压和更高的带宽。 DDR4的传输速度可以达到2133~3200MT/s。 DDR4增加了四个BankGroup数据组的设计。 每个BankGroup具有DDR4的读写频率占空比等启动操作的特点,最多可以处理4条数据,效率明显优于DDR3。 此外,DDR4还增加了DBI(DataBusInversion)、CRC(CyclicRedundancyCheck)、CAparity等功能,使得DDR4内存速度更快、更省电,同时改善信号完整性,提高数据传输和存储的可靠性。
电压:1.2/1.35V电压提供更低的功耗
1逻辑Bank数量
drr2SDRAM有4Bank和8Bank设计,旨在应对未来。 对大容量芯片的需求。 而drr3大概是2Gb容量起步,所以起始逻辑Bank是8个,为以后的16个逻辑Bank做准备。
2.封装
因为drr3增加了一些新功能,所以管脚会有增加。 8位芯片采用78球FBGA封装,16位芯片采用96球FBGA封装。 drr260/68/84球FBGA封装共有三种规格。 而且drr3必须是绿色包装,不能含有任何有害物质。
3.突发长度(BL,BurstLength)
由于drr3的预取为8bit,因此突发传输周期(BL,BurstLength)也固定为8,而对于drr2和早期drr架构系统,则为BL。 =4也是常用的drr3为此添加了4位BurstChop(突发突变)模式,即一个BL=4的读操作加上一个BL=4的写操作合成为一个BL=8的数据串行传输。 突发模式可以通过A12地址线控制。
4.寻址时序(timing)
正如drr2由drr改为drr后延迟周期数增加一样,drr3的CL周期相对于drr2也会有所改善。 drr2的CL范围通常在2到5之间,而drr3的CL范围在5到11之间,并且附加延迟(AL)的设计也发生了变化。 drr2时AL的范围是0到4,而drr3时AL有3个选项,分别是0、CL-1和CL-2。 此外,drr3还增加了新的时间参数写入延迟(CWD),该延迟将根据具体的工作频率来确定。
DDR4内存模组外观发生明显变化,金手指都变成了弧形
2DDR4内存频率大幅提升,最高可达4266MHz
3DDR4内存频率大幅提升大幅提升,最高可达128GB
4.DDR4功耗大幅降低,电压达到1.2V甚至更低
DDR4的理论极限可以计算:1333MHz*64bit(单通道),双通道为128bit)/8(位到字节单位的换算)=10.664GB/s。 这只是一个理论。 实际性能取决于内存控制器。 单个1333跑出来的数据大约是7~9GB/s。
这涉及到SDRAM的内部时钟频率,在下面的专栏中,可以清楚的看到三个频率之间的关系,同时也可以看到SDRAM的实际工作频率变化很小。 这。 多代DDR
InternRate:SDRAM内部时钟频率MHz
DDR1SDRAM内部时钟频率=100-200MHz
DDR2SDRAM内部时钟频率=100-266.67MHz
DDR3SDRAM内部。 时钟频率=100-266.67MHz
DDR4SDRAM内部时钟频率=133.33-266.67MHz
I/OBusClock:总线时钟频率MHz
DDR1总线时钟频率=1DDR1SDRAM内部时钟频率=100-200MHz
DDR2总线时钟频率=2DDR2SDRAM内部时钟频率=200-533.33MHz
DDR3总线时钟频率=4DDR3SDRAM内部时钟频率=400-1066.67MHz
DDR4总线时钟频率8DDR4SDRAM频率=1066.67-2133.33MHz
TransferRate:传输速率MT/s,这是内存等效频率,也是大众熟知的频率,例如DDR4-3200
DDR1传输速率=2DDR1SDRAM内部时钟频率=200-400MT/s
DDR2传输速率=4DDR2SDRAM内部时钟频率=400-1066.67MT/s
DDR3传输速率=8DDR3SDRAM内部时钟频率=800-2133MT/sDDR4传输速率=16DDR4SDRAM内部时钟频率=2133.33-4266.67MT/s
等效频率以上的频率不属于JEDEC规范内的频率。 例如DDR4最高规格是4266,但这指的是原来的4266,大众理解4266不是一个概念
⑶、bbr4,频率4000内存条时序为多少DDR4-4000内存的常规时序基本是这样的:CL19-25-25-45。以上就是关于ddr4内存的默认时序是多少的全部内容,希望能够帮到您。
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