3600内存超频4000bios设置
帛季源2020-10-31 16:00:02恒煜丶blog百科7348
大家好！今天让小编来大家介绍下关于3600内存超频4000bios设置的问题，以下是小编对此问题的归纳整理，让我们一起来看看吧。
超频3600MHz DDR4内存至4000MHz需要调整多个BIOS设置项，以下是一些关键因素：
1. 内存频率：将“Memory Frequency (MHz)”设置为4000MHz是超频的核心步骤。
2. 内存时序：调整内存时序参数如DRAM CAS Latency、DRAM RAS to CAS Delay等，以匹配更高频率下的要求。 较小的值通常意味着更高的性能，但可能降低稳定性。
3. 内存电压：增加内存电压可以提高内存的稳定性，但过高的电压可能导致过热和缩短内存寿命。 建议在1.35V到1.5V之间进行实验。
4. 内存通道交错：设置“DRAM Bank Interleave”可以提高内存带宽，从而提高整体性能。
5. 内存终止电流：调整“DRAM Termination Current”可以改善内存的稳定性，但通常设置为“Auto”即可。
请注意，超频内存可能会影响系统的稳定性和寿命。 在进行超频之前，请确保你的电脑有良好的散热系统，并且只在不影响系统稳定性的范围内进行调整。 此外，超频可能导致保修失效。
| 设置项 | 描述 | 示例值 |
|---|---|---|
| Memory Frequency (MHz) | 设置内存频率。 超频时，将此值设置为超出标准频率的值。 | 4000MHz |
| DRAM CAS Latency | 设置内存CAS延迟时间，较小的值通常意味着更高的性能，但可能降低稳定性。 | 14 |
| DRAM RAS to CAS Delay | 设置RAS到CAS延迟，控内存读取速度。 | 15 |
| DRAM RAS Active Time | 设置RAS活时间，影响内存的响应速度。 | 40 |
| DRAM Write Recovery Time | 设置写入恢复时间，影响内存的写入效率。 | 20 |
| DRAM Read Recovery Time | 设置读取恢复时间，影响内存的读取效率。 | 20 |
| DRAM Write Latency | 设置写入延迟时间，较小的值可能提高性能。 | 12 |
| DRAM Read to Write Delay | 设置读取到写入延迟时间，影响内存的读写效率。 | 12 |
| DRAM Bank Interleave | 设置内存通道交错，提高内存带宽。 | 2 |
| DRAM Termination Current | 设置内存终止电流，影响内存的稳定性。 | Auto |
| DRAM Voltage | 设置内存电压，更高的电压可能提高性能但降低稳定性。 | 1.4V |
超频3600MHz DDR4内存至4000MHz需要调整多个BIOS设置项，以下是一些关键因素：
1. 内存频率：将“Memory Frequency (MHz)”设置为4000MHz是超频的核心步骤。
2. 内存时序：调整内存时序参数如DRAM CAS Latency、DRAM RAS to CAS Delay等，以匹配更高频率下的要求。 较小的值通常意味着更高的性能，但可能降低稳定性。
3. 内存电压：增加内存电压可以提高内存的稳定性，但过高的电压可能导致过热和缩短内存寿命。 建议在1.35V到1.5V之间进行实验。
4. 内存通道交错：设置“DRAM Bank Interleave”可以提高内存带宽，从而提高整体性能。
5. 内存终止电流：调整“DRAM Termination Current”可以改善内存的稳定性，但通常设置为“Auto”即可。
请注意，超频内存可能会影响系统的稳定性和寿命。 在进行超频之前，请确保你的电脑有良好的散热系统，并且只在不影响系统稳定性的范围内进行调整。 此外，超频可能导致保修失效。
