内存超频什么参数决定延迟

一次成功的超频和内存的品质及正确设定内存参数有着极为密切的关系。 目前 RAS to CAS决定了行寻址至列寻址之间的延迟。 RAS Precharge则决定了相同

内存的时序则由时钟周期、CAS延迟、RAS预充电时间、命令速率等参数组成。 在进行内存超频之前，需要先了解自己的内存型号和基准时钟频率。 通常情况 内存超频能带来显著提升，就比如PUBG、CSGO等FPS游戏，超频后的帧数表 设置合适的时序参数，如CAS延迟（CL）、行地址 strobe到列地址 strobe延迟

超频内存怎么选?那种颗粒超频稳?时序变现还好! 遇见-钢琴版 “慢慢买”是一款集全网比价、查历史价格等功能为一体的购物决策助手 12.0万 40 2.9万 299 3.7万 333 展开

 CAS Latency Time(tCL): 此项控制了 C A S 延迟,它决定了在 SDRAM 在接收指令后开始读取的延 迟时间(在时间周期中)。   ③ RAS/ CAS Delay(tRCD): 此项目用于选择从 RAS (Row Address Strobe) 到CAS (Column Address Strobe)在相同的 bank 读写数据时所延迟的时间。 设 如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，