时序参数 典型值 说明 CL 16-18 延迟时间，表示从发出读命令到第一个数据位到达的时间。 tRCD 16-18 RAS to CAS 延迟时间，表示从发出 RAS 命令到 CAS 命令的时间。 tRP 16-18 RAS 预充电延迟时间，表示从发出 RAS 命令到预充电开始的时间。 tRAS 35-40 RAS 激活时间，表示从发出 RAS 命令到数据开始传输的时间。 tRC 55-60 刷新周期时间，表示刷新操作周期时间。 tWR 10-12 写入延迟时间，表示从发出写入命令到数据写入的时间。 tRFC 350-400 刷新命令周期时间，表示两次刷新命令之间的最短时间。 tRTP 7-9 RAS 到预充电延迟时间，表示从发出 RAS 命令到预充电开始的时间。 tCCD 1.5-2 CAS to CAS 延迟时间，表示两次 CAS 命令之间的最短时间。 tCCD_L 1.5-2 CAS to CAS 延迟时间（低频率），表示两次 CAS 命令之间的最短时间。 tCCD_S 1.5-2 CAS to CAS 延迟时间（高频率），表示两次 CAS 命令之间的最短时间。 tRRD 4-6 读取到写入延迟时间，表示从发出读取命令到写入命令的时间。

说明：
以上表格列出了一些常见的 DDR5 内存条时序参数及其典型值，实际值可能因内存条型号和频率而有所不同。

这些时序参数决定了内存条的性能，越低的数值意味着更高的性能。
例如，CL16 比 CL18 的延迟时间更短，因此内存条的性能更高。
用户可以根据自己的需要选择合适的内存条，一般来说，CL 值越低越好，但也要考虑其他参数以及价格。
在选择内存条时，建议查看其规格书，了解其具体时序参数。
需要注意的是，以上表格仅提供一些参考信息，实际的时序参数可能有所不同。