内存条那些事儿频率和时序，真的不一样吗？🤔
在计算机硬件领域，内存模块的性能不仅取决于频率，时序参数也至关重要。 但对于大多数用户来说，它可能并不那么知名。 频率和时序就像记忆的翅膀一样，共同决定了数据传输的速度和效率。
频率就像运动员的节奏一样，决定了记忆处理的速度。 如果你只是想进行简单的购买，你可以这样理解：计时就像一个隐藏的密码，由3到5个数字组成，通常用4个数字来表示，每个数字代表一个延迟，但不是一个时间，而是在一个周期时钟。 例如，对于DDR33000内存，一个时钟周期等于0.666...ns，而对于DDR32666则为0.75ns，这意味着延迟越小，内存响应速度越快。
接下来，我们来深入分析一下这个神秘的数字序列：
ColumnAccessStrobe(CAS)Latency（简称CL）：内存控制器对列地址的响应延迟代表从发送地址到读取第一位所需的时钟周期是内存控制器之间同步的基准。
RowAccessStrobe(RAS)toColumnAccessStrobe(CAS)Delaytime(tRCD)：从行地址到列地址的传输延迟，保证打开新行和访问列的最短时间，记录为tRCD加CL。
RASPrechargeDelaytime(tRP)：行预充电时间，从发出预充电命令到打开下一行的延迟，涉及非活动行数据的读取，等于tRP加上tRCD和CL。
RowActiveDelaytime(tRAS)：行激活时间（如果省略）通常于tRCD加CL。 这是内部的行刷新过程，与tRCD重叠。
命令速率（第一个命令延迟）：虽然不常见，但在某些情况下，这是将第一个命令发送到内存的延迟，通常会被简化。
对各个时序参数的精准优化，是为了保证数据传输的流畅性和一致性，因此，在比较不同内存条的时候，不要忘记它在时序上的细微差别可能是提高系统性能的关键。 了解这些数字就像掌握了内存性能的钥匙，让您的计算机运行更加流畅。
2、内存时钟频率对于内存有什么影响？TRFC值属于第二个小参数，值越小单位越好。
DDR3内存值通常在90到120之间。 低于80可能会变得不稳定。 CL、tRCD、tRP、tRAS被称为第一定时，对粒子性能影响最明显、最重要。
首先，内存时序（英文：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数（CL、TRCD、TRP、TRAS），其单位为时钟周期。
可见，计算机要正常运行，对各种运行信号的产生、稳定、释放时间以及相互关系都有严格的要求。 对操作信号进行时间控制称为时序控制。 只有严格的时序控制才能保证各种功能部件有机组成的计算机系统。
扩展信息：
影响内存时序的因素：
将内存时序转换为实际延迟时，最要注意的是重要的一点。 单位是时钟周期。 如果不知道时钟周期时间，就不可能知道一组数字是否比另一组快。
例如，DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。 基于这个1ns时钟，CL=7给出7ns的绝对延迟。 更快的DDR3-2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可能会使用更大的CL=9，但最终产生的绝对延迟将小于6.75ns。
现代DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。 PC的BIOS允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险），并在某些情况下提高稳定性（例如使用推荐的时序）。
注意：内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受传输速度而非延迟的限制。 对多个SDRAM内部存储体的交叉访问允许以峰值速率连续传输。 增加带宽可能会以增加延迟为代价。 具体来说，虽然每一代新一代DDR内存的传输速度都有所提高，但绝对延迟并没有显着变化。 新一代产品，尤其是那些率先上市的产品，通常比前代产品具有更高的延迟。
增加内存带宽可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算机系统的性能，即使内存延迟增加也是如此。 更高的带宽还可以提高不使用专用视频内存的集成显卡的性能。
参考来源：百度百科-内存时序
参考来源：百度百科-时序控制
