轻松搞懂！内存时序与小参参数，计算不再难懂小技巧
⑴什么是内存时序？第一个“9”是第一个参数，CL参数。
tRCD:RAStoCASDelay
该值是“9-9-9-24”内存时序参数中的第二个参数，即第二个“9”。 RAStoCASDelay（也称为tRCD、RAStoCASDelay、ActivetoCMD）代表“行寻址到列寻址的延迟时间”。 较低的值可以提高性能。 当读、写或新存储器时，必须在这两个脉冲信号之间插入一个延迟时钟周期。 减少此延迟可以提高系统性能，在JEDEC规范中排名第二。 如果您的内存超频不够，请尝试将此值设置为内存默认值或增大tRCD值。
tRP:RowPrechargeTiming(tRP)
该值是“9-9-9-24”内存时序参数的第三个参数，即第三个“9”。 RowPrechargeTiming（也称为tRP、RASPrecharge、Prechargetoactive）代表“内存行地址控器预充电时间”。 预充电参数越小，存储器读写速度越快。 tRP用于设置另一行活之前RAS所需的充电时间。 该值为“9-9-9-24”查看内存时序参数的原始帖子>>
内存时序参数ddr43200(16)8G×16，CL16-16-16
2.
c17内存时序哪个最好？这是平均水平。
时间越短，性能越好。
内存模块的时序或多或少正常
c17内存模块的时序是平均的。
1.时间越短，性能越好。
2.不同的时间序列，即不同的响应时间，以时钟周期为单位进行测量。
3.性能不同，其他条件不变，数字越低，性能越好。
tRCD:RAStoCASDelay
该值是“9-9-9-24”内存时序参数中的第二个参数，即第二个“9”。 RAStoCASDelay（也称为tRCD、RAStoCASDelay、ActivetoCMD）代表“行寻址到列寻址的延迟时间”。 较低的值可以提高性能。 当读、写或新存储器时，必须在这两个脉冲信号之间插入一个延迟时钟周期。 减少此延迟可以提高系统性能，在JEDEC规范中排名第二。 如果您的内存超频不够，请尝试将此值设置为内存默认值或增大tRCD值。
tRP:RowPrechargeTiming(tRP)
该值是“9-9-9-24”内存时序参数的第三个参数，即第三个“9”。 RowPrechargeTiming（也称为tRP、RASPrecharge、Prechargetoactive）代表“内存行地址控器预充电时间”。 预充电参数越小，存储器读写速度越快。 tRP用于设置另一行活之前RAS所需的充电时间。 该值为“9-9-9-24”查看内存时序参数的原始帖子>>
内存时序参数ddr43200(16)8G×16，CL16-16-16
2.
c17内存时序哪个最好？这是平均水平。
时间越短，性能越好。
内存模块的时序或多或少正常
c17内存模块的时序是平均的。
1.时间越短，性能越好。
2.不同的时间序列，即不同的响应时间，以时钟周期为单位进行测量。
3.性能不同，其他条件不变，数字越低，性能越好。
