| 时序 |
含义 | 超频时调整方向 | | CL (CAS Latency) |
访问内存的延迟时间 | 往下调 | | tRCD (RAS to CAS Delay) |
激活行和读取数据之间的延迟时间 | 往下调 | | tRP (RAS Precharge) |
预充电行的延迟时间 | 往下调 | | tRAS (RAS Active Time) |
行激活保持的时间 | 往上调 | | tRC (Row Cycle Time) |
行激活和预充电之间的循环时间 | 往上调 | | tWR (Write Recovery Time) |
写入数据后的延迟时间 | 往上调 | | tRFC (Refresh Cycle Time) |
刷新内存的循环时间 | 往上调
专业角度解释：
- 内存时序 是指内存芯片在执行操作时各个步骤之间的延迟时间。 调整内存时序可以提高内存性能，但需要谨慎操作，因为过低的时序可能会导致系统不稳定。
- CL、tRCD、tRP 等时序参数通常需要往下调，以减少延迟，提高内存响应速度。
- tRAS、tRC、tWR、tRFC 等时序参数通常需要往上调，因为它们与内存操作的稳定性和可靠性有关，过低的值可能会导致内存错误。
- 内存超频 需要根据具体情况进行调整，建议从降低 CL、tRCD、tRP 等核心时序开始，逐渐提高其他时序参数，并观察系统稳定性。
- 不同内存芯片的时序参数可能不同，需要参考内存规格书进行调整。
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