内存条ddr2和ddr3和ddr4区别
DDRSDRAM（DoubleDataRateSDRAM）：是双通道同步动态随机存取存储器，是新一代SDRAM技术。 与SDR（单数据速率）在单个周期内只能读取或写入一次不同，DDR的双倍数据传输速率意味着它可以在单个周期内读取或写入两次。 在核心频率不变的情况下，传输效率是SDRSDRAM的2倍。 第一代DDR内存预取为2位，是SDR的两倍。 在操作期间，I/O预取2位数据。 比如当时DDR内存的传输速率大约在266到400MT/s之间，比如DDR266、DDR400，都是当时的产品。
DDR2SDRAM（DoubleDataRateTwoSDRAM）：是一种双通道、两次同步的动态随机存取存储器。 DDR2内存预取增加至4位（DDR的两倍）。 DDR2的I/O频率是DDR的两倍，即266、333和400MHz。 示例：核心频率也是133至200MHz。 在I/O频率提升的影响下，此时的DDR2传输速率大约在533-800MT/s范围内，与DDR2533和DDR2800的常见内存规格相当。
DDR3SDRAM（DoubleDataRateThreeSDRAM）：是一种三通道、三重同步动态随机存取存储器。 DDR3内存预取增加到8位，即H。 每次访问一组8位数据。 DDR3传输速率范围为800至1600MT/s。 另外，DDR3规范要求电压调节至1.5V，比DDR2的1.8V更加省电。 DDR3还增加了两个新功能，ASR（自动自刷新）和SRT（自刷新温度），允许内存在睡眠期间温度变化时控制内存颗粒的充电频率，以保证系统数据的完整性。
DDR4SDRAM(DoubleDataRateFourthSDRAM)：DDR4提供比DDR3/DDR2更低的1.2V电源电压和更高的带宽。 DDR4的传输速率目前可以达到2133-3200MT/s。 DDR4增加了4个BankGroup数据组的设计，具有多任务的概念。 DDR4的频率占空比最多可以处理4个数据，效率明显优于DDR3。 此外，DDR4还增加了DBI（DataBusInversion）、CRC（CyclicRedundancyCheck）、CAparity等功能，使得DDR4内存速度更快、更节能，同时改善信号完整性，提高数据传输和存储的可靠性。
主要区别是速度稳定性和升级
像iPhone1-7s
1．工艺（纳米NM）SDRAM约为90NM，DDR2通常为65NM，DDR3通常为32~45NM，DDR4约为19NM
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