主板bios调内存读写的设置

BIOS 设置 说明 DRAM Timing Control

• CAS Latency (CL): 内存芯片读取数据所需的时间周期数。 数值越低越好。


• tRCD (RAS to CAS Delay): 从预充电到激活的行地址之间的延迟。 数值越低越好。


• tRP (RAS Precharge): 行地址预充电所需的时间。 数值越低越好。


• tRAS (RAS Active Time): 行地址激活的时间。 数值越低越好。


• tRC (Row Cycle Time): 一次完整的行操作所需的时间。 数值越低越好。

Memory Frequency

• 选择内存模块支持的频率。


• 频率越高，性能越好，但也可能导致内存不稳定。

Memory Voltage

• 选择内存模块所需的电压。


• 电压越高，性能越好，但也可能导致内存过热或损坏。

XMP/DOCP Profile

• 开启 XMP/DOCP，会自动加载内存模块的性能配置文件，设置最佳的内存参数。

Memory Timing Control



• Command Rate (CR): 内存控制器发出命令的速度。 数值越低越好。


• tRFC (Refresh Cycle Time): 刷新内存所需的时间。 数值越低越好。


• tFAW (Four Activate Window): 连续激活两个不同行的最小间隔时间。 数值越低越好。


• tWR (Write Recovery Time): 写入操作后的恢复时间。 数值越低越好。


• tWTR (Write to Read Delay): 写入操作到读取操作之间的延迟。 数值越低越好。



Memory Interleaving



• 启用内存交错，可以提高内存带宽。





注意：
不同的主板 BIOS 可能会有不同的设置选项和名称。
在调整内存参数之前，请确保了解每个设置的意义，并备份 BIOS 设置。
过度调整内存参数可能会导致系统不稳定，甚至损坏硬件。
建议从默认值开始调整，并逐步增加参数，以找到最佳的设置。