| 参数 |
描述 | 最小值 | | CL (CAS Latency) |
从发出读命令到数据从内存芯片输出的时间周期数 | 10 或更低 (通常在高性能内存中) | | tRCD (RAS to CAS Delay) |
从发出 RAS 命令到发出 CAS 命令的延迟时间周期数 | 12 或更低 (通常在高性能内存中) | | tRP (RAS Precharge) |
从发出 RAS 命令到允许下一个 RAS 命令的延迟时间周期数 | 12 或更低 (通常在高性能内存中) | | tRAS (RAS Active Time) |
从发出 RAS 命令到允许下一个 RAS 命令的延迟时间周期数 | 35 或更低 (通常在高性能内存中) | | tRC (Refresh Cycle Time) |
内存控制器对内存模块进行刷新操作的时间周期数 | 55 或更低 (通常在高性能内存中) | | tFAW (Four Activate Window) |
两次激活同一内存银行之间的延迟时间周期数 | 16 或更低 (通常在高性能内存中)
请注意，这些值只是最低值，实际的时序值可能会因内存模块、主板和 CPU 的不同而有所差异。 此外，更高的时序值通常会导致更低的性能，但也会降低内存成本。
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