内存时序优先调哪个参数最好

壹、内存时序高好还是低好？

低内存时序是好的。

内存时序是代表SDRAM（同步动态随机存取存储器）性能的四个参数CL、TRCD、TRP、TRAS，单位是时钟周期。 它通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。 第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N或1N。

这些参数指定延迟（latency），它影响随机存取存储器的速度。 较低的数字通常会带来更快的性能。 决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL(CASLatency)：列地址访问的延迟是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间。 由于tRCD只是一个估计值，因此对该值的微小更改不会显着改变内存性能。

tRP(RASPrechargeTime)：存储器行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS(RASActiveTime)：行地址有效的时间，简单理解为内存写入或读取数据的时间，一般接近前三个参数的总和。

贰、内存时序怎么设置?
调整内存时序时，一定要遵循安全原则，不要过度调整，以免损坏硬件。 此外，您还需要备份BIOS设置，以便在出现问题时可以恢复它们。 备份BIOS设置内存时序是内存工作的节奏，是影响内存读写数据速度和稳定性的重要因素。
确认内存支持的时间。 备份BIOS设置。 内存时序是内存工作的节奏，也是影响内存读写速度和稳定性的重要因素。 内存时序包括时序频率、时序时序、时序电压等。
如何调整内存时序：首先重新启动电脑，按Logo界面上的热键进入BIOS设置。
可选设置：自动、0、1、2、3、4、5、6、7。 该值是“3-4-4-8”内存时序参数中的第三个参数，即第二个4。
一般来说，内存调整时间包括四个参数：CAS时间、RAS时间、循环时间和写入延迟。 这些参数可以通过BIOS界面进行设置。 具体步骤如下：进入计算机的BIOS设置界面，通常是按DEL或F2键。
重新启动电脑，在Logo界面按热键即可进入BIOS设置。 进入后，找到高级选项并选择AdvancedChipsetFeatures。 按Enter键后，将DRAMTimingSelectable更改为手动。 打开时序调整后，会多出现4个选项，即MemoryTiming。