内存条时序表怎么看

参数 含义 单位 典型值 tCL CAS延迟 时钟周期 14-18 tRCD RAS到CAS延迟 时钟周期 14-18 tRP RAS预充电延迟 时钟周期 14-18 tRAS RAS激活时间 时钟周期 35-45 tRC 行循环时间 时钟周期 55-65 tWR 写恢复时间 时钟周期 10-12 tWTR 写到读恢复时间 时钟周期 5-7 tRTP 读到预充电延迟 时钟周期 5-7 tFAW 四激活窗口 时钟周期 36-48 tRFC 刷新周期 时钟周期 390-600

解释

CAS 延迟 (tCL)：这是内存从收到读取命令到开始输出数据的延迟时间。 数值越低越好。
RAS 到 CAS 延迟 (tRCD)：这是从 RAS 命令到 CAS 命令之间的时间间隔。 数值越低越好。
RAS 预充电延迟 (tRP)：这是从 RAS 命令到预充电命令之间的时间间隔。 数值越低越好。
RAS 激活时间 (tRAS)：这是从 RAS 命令到 RAS 预充电命令之间的时间间隔。 数值越低越好。
行循环时间 (tRC)：这是内存访问同一个行两次之间所需的最短时间。 数值越低越好。
写恢复时间 (tWR)：这是内存完成写操作后才能执行其他操作所需的时间。 数值越低越好。
写到读恢复时间 (tWTR)：这是内存完成写操作后才能执行读操作所需的时间。 数值越低越好。
读到预充电延迟 (tRTP)：这是内存完成读操作后才能执行预充电命令所需的时间。 数值越低越好。
四激活窗口 (tFAW)：这是内存可以连续激活四行的最小时间间隔。 数值越低越好。
刷新周期 (tRFC)：这是内存刷新操作的频率。 数值越高越好，但会降低内存性能。

说明

时序表中的数值通常以时钟周期为单位。 时钟周期是由内存频率决定的。
时序表中的数值越低，内存性能越好。
不同的内存模块有不同的时序表，因此选择内存模块时需要关注时序参数。
您可以通过 XMP 配置文件或手动调整 BIOS 设置来调整内存时序。