降低内存时序的优缺点
内存时序对性能的影响？
2.时序对性能的影响仅为45%。 现在高频内存的时序比较大。 频率的选择是前提。 否则就是浪费钱。
3.时序并不重要，性能差异不大，主要是频率240021331600。
4．当然，内存时序越低越好。 一般DDR2533官方SPD设置为44412，DDR2667为55515。 一般只有AMD主板可以设置为1T或2T。 但在双通道模式下，最好设置为2T，以避免内存不稳定。
5.主要取决于电压。 如果CPU超频，内存通常会下降一点。 如果电压不够，不行的话就在BIOS设置里加点电压。 尝试一些01v。 如果稳定的话，就会成功。 我真的不建议超频，因为不超限玩你就看不到性能的提升，而且还有超频的风险。 甚至毁掉硬件，这是可悲的。
6.计时越小，响应时间越快，但这种差异以毫秒为单位，在使用过程中你感觉不到。 从制造商装配线上下来的记忆颗粒经过测试并用于制造铂。 超频磁带或磁带比普通磁带贵。 如果不超频，这些频段在过载情况下可以更稳定地工作。
7.CL44412，标记是这样的，不过一般800M时频率是55515。 667M时可能是44412。 智奇DDR2800CL55515应该不错。 我使用的金邦黑龙条DDR2800就是少数之一。 800MB内存，44412频率同步。 理论上，同代内存同步越强，超频空间越大。 内存频率越高，同步性也会有不同程度的提升。 DDR时代，默认是1G。 时序通常为3338，根据百度百科，现在最新的DDR4时序已经增加到16161635。
9.后者是频率和记忆时序共同作用的结果。 提高频率、减少内存时序可以降低内存延迟，而低内存延迟正是游戏所需要的。 内存频率越高越好，时序越低越好，但是两者兼得不太现实，因为大家都可以看一下。
10.时间是记忆的延迟。 越弱越好。 当考虑高频内存模块时，通常很难控制时序，因此高频和低时序内存通常更昂贵。 图中左侧的频率较低，但时机较好。 右边的频率较高，时序稍差。 综合性能来说，右边的比较好，考虑到价格。
11.TRFC值属于第二个小参数，表示刷新间隔周期。 该值越小，DDR3内存越好。 80、这可能会造成不稳定。 CLtRCDtRP和tRAS称为前者。 时序对粒子性能影响最明显，其中最重要的是内存时序。
12.一切都很重要。 有些程序对内存延迟非常敏感，例如多媒体编解码、图像渲染、物理效果较高的游戏等。
13.内存时序设置通常缩写为2226111T。 格式分别表示CAStRCDtRPtRASCMD的值。 2226111T的最后两个时序参数是最复杂的，它们是tRAS和CMDCommand的缩写。 目前市场上的参数。 对参数的理解就在那里。
14.时间越短越好，但这取决于频率。 内存超频时，应增加时序。 DDR2的55515可以超频到800MHz。 800Mhz也是这个时机。 DDR默认时序为33392T400MhzDDR2。 默认时序为555152T800MhzDDR3。
15.如果你的电脑的显卡和处理器不是高端的，即使显卡和处理器是顶级的，也没有必要购买高频U盘。 U盘只能将帧率提高十几帧。
16.不，DDR800是6_6_616。 你觉得比1600好吗？只能说同频率的时序更小。
17.当然，时间越短越好。 CL9明显优于CL11。 第二个问题是在这种情况下1600更好，带宽比延迟更重要，因为1333带宽有点低。
对于相同频率的存储器，时序越低越好。
CL-TRCD-TRP(11-11-11)中的计时显示为11小时。 1600Mhz内存中的默认时间为11-11-11，1333Mhz中的默认计时为9-9-。 9，因此具有9-9-9时序的1600Mhz内存比1600Mhz11-11-11时序更快，谢谢。 正常超频，除了将频率从1333更改为1600Mhz外，专家还会更改时间。
基本解释
通用编号“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency(CL值代表短期）CAS内存延迟时间，这是内存的重要参数之一有些内存品牌会将CL值打印在内存模块标签上（tRCD），该地址内存行被发送到的延迟时间为列地址。
RASPrechargeDelay（tRP），选通脉冲预充电时间存储器线地址；RowActiveDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟。 这是玩家最关心的四种时序调整，可以在BIOS中设置大多数内存条厂商也计划推出低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存条。
最多5个百分点。
2.时序对性能的影响仅为45%。 现在高频内存的时序比较大。 频率的选择是前提。 否则就是浪费钱。
3.时序并不重要，性能差异不大，主要是频率240021331600。
4．当然，内存时序越低越好。 一般DDR2533官方SPD设置为44412，DDR2667为55515。 一般只有AMD主板可以设置为1T或2T。 但在双通道模式下，最好设置为2T，以避免内存不稳定。
5.主要取决于电压。 如果CPU超频，内存通常会下降一点。 如果电压不够，不行的话就在BIOS设置里加点电压。 尝试一些01v。 如果稳定的话，就会成功。 我真的不建议超频，因为不超限玩你就看不到性能的提升，而且还有超频的风险。 甚至毁掉硬件，这是可悲的。
6.计时越小，响应时间越快，但这种差异以毫秒为单位，在使用过程中你感觉不到。 从制造商装配线上下来的记忆颗粒经过测试并用于制造铂。 超频磁带或磁带比普通磁带贵。 如果不超频，这些频段在过载情况下可以更稳定地工作。
7.CL44412，标记是这样的，不过一般800M时频率是55515。 667M时可能是44412。 智奇DDR2800CL55515应该不错。 我使用的金邦黑龙条DDR2800就是少数之一。 800MB内存，44412频率同步。 理论上，同代内存同步越强，超频空间越大。 内存频率越高，同步性也会有不同程度的提升。 DDR时代，默认是1G。 时序通常为3338，根据百度百科，现在最新的DDR4时序已经增加到16161635。
9.后者是频率和记忆时序共同作用的结果。 提高频率、减少内存时序可以降低内存延迟，而低内存延迟正是游戏所需要的。 内存频率越高越好，时序越低越好，但是两者兼得不太现实，因为大家都可以看一下。
10.时间是记忆的延迟。 越弱越好。 当考虑高频内存模块时，通常很难控制时序，因此高频和低时序内存通常更昂贵。 图中左侧的频率较低，但时机较好。 右边的频率较高，时序稍差。 综合性能来说，右边的比较好，考虑到价格。
11.TRFC值属于第二个小参数，表示刷新间隔周期。 该值越小，DDR3内存越好。 80、这可能会造成不稳定。 CLtRCDtRP和tRAS称为前者。 时序对粒子性能影响最明显，其中最重要的是内存时序。
12.一切都很重要。 有些程序对内存延迟非常敏感，例如多媒体编解码、图像渲染、物理效果较高的游戏等。
13.内存时序设置通常缩写为2226111T。 格式分别表示CAStRCDtRPtRASCMD的值。 2226111T的最后两个时序参数是最复杂的，它们是tRAS和CMDCommand的缩写。 目前市场上的参数。 对参数的理解就在那里。
14.时间越短越好，但这取决于频率。 内存超频时，应增加时序。 DDR2的55515可以超频到800MHz。 800Mhz也是这个时机。 DDR默认时序为33392T400MhzDDR2。 默认时序为555152T800MhzDDR3。
15.如果你的电脑的显卡和处理器不是高端的，即使显卡和处理器是顶级的，也没有必要购买高频U盘。 U盘只能将帧率提高十几帧。
16.不，DDR800是6_6_616。 你觉得比1600好吗？只能说同频率的时序更小。
17.当然，时间越短越好。 CL9明显优于CL11。 第二个问题是在这种情况下1600更好，带宽比延迟更重要，因为1333带宽有点低。