ecc内存条是不是比普通内条慢
本文目录一览I、内存条ddr3ecc和ddr3通用吗？
ECCE是一种可以实现“错误检查和纠正”的技术，ECC内存就是应用了该技术的内存。 ECC内存可以用在一些常见的电脑上，但需要注意的是ECC内存对主板的电气性能要求比较高。 如果你的主板比较差，可能会出现兼容性问题。 Ecc的“错误检查和纠正”功能在普通计算机上不可用。 它用在服务器上。 III、台式内存条有几种类型？什么ERCC,普条，详细讲一下，谢谢😊根据内存模块的接口形式，常见的内存模块有两种：单列直插内存模块（SIMM）和双列直插内存模块（DIMM）。 SIMM内存模块分为30线和72线。 与SIMM内存模块相比，DIMM内存模块有168个引脚。 DIMM可以单独使用，也可以混合不同容量。 SIMM必须成对使用。 根据存储器的工作方式，存储器有FPAEDODRAM和SDRAM（同步动态RAM）的形式。 FPA(FASTPAGEMODE)RAM快速页模式随机存取存储器：这是早期计算机系统中常用的存储器。 它每三个时钟脉冲周期传输一次数据。 EDO（EXTENDEDDATAOUT）RAM扩展数据输出随机存取存储器：EDO存储器取消了主板和内存两个存储周期之间的时间间隔。 它每两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大缩短了访问时间。 存储速度提升30%。 EDO一般为72针，EDO内存已被SDRAM取代。 S（SYSNECRONOUS）DRAM同步动态随机存储器：SDRAM为168针，是目前PENTIUM及以上型号使用的存储器。 SDRAM通过同一个时钟将CPU和RAM锁定在一起，让CPU和RAM共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作。 每个时钟脉冲的上升沿开始传输数据，速度比EDO存储器高50%。 。 DDR（DOUBLEDATARAGE）RAM：SDRAM的更新产品，允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，从而在不增加时钟频率的情况下使SDRAM的速度加倍。 RDRAM（RAMBUSDRAM）内存总线型动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的一种新型DRAM，具有系统带宽和芯片间接口设计。 它可以通过简单的总线在非常高的频率范围内传输数据。 它还使用低信号在高速同步时钟脉冲的两个边沿上传输数据。 INTEL将在其820芯片组产品中添加对RDRAM的支持。 由于这种内存太贵，在PC上已经看不到了。 DDR2（双倍数据速率2）SDRAM是JEDEC（联合电子设备工程委员会）制定的新一代内存技术标准。 它与上一代DDR内存技术标准最大的区别在于，虽然同样采用时钟的上升/下降延迟进行数据传输的基本方法，但DDR2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍（即：4位数据读取预取）。 换句话说，DDR2内存每个时钟可以以外部总线速度4倍的速度读/写数据，并且可以以内部控制总线速度4倍的速度运行。 另外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装，与目前广泛使用的TSOP/TSOP-II封装不同，FBGA封装可以提供更好的电气性能和散热，这为DDR2内存提供了稳定性。 为未来频率开发奠定坚实的基础。 回顾DDR的发展历史，从第一代DDR200通过DDR266、DDR333应用于个人电脑到如今的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也已经达到了技术的极限，已经通过传统的方法很难提高记忆力。 工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前总线对内存带宽的要求越来越高，更高、更稳定工作频率的DDR2内存将是大势所趋。
通用。
简单来说，ECC仅支持服务器流行的CPUDDR3。 具体来说，ECC内存增加了纠错功能。 毕竟服务器平台需要稳定，才能避免造成不可挽回的损失。 使用时除了兼容性问题之外，两者没有性能差异。
II、SDECC内存比普通的SD内存存入/读取速度慢吗？对的，这是可能的。 然而，有时可能会出现不兼容的情况。ECCE是一种可以实现“错误检查和纠正”的技术，ECC内存就是应用了该技术的内存。 ECC内存可以用在一些常见的电脑上，但需要注意的是ECC内存对主板的电气性能要求比较高。 如果你的主板比较差，可能会出现兼容性问题。 Ecc的“错误检查和纠正”功能在普通计算机上不可用。 它用在服务器上。 III、台式内存条有几种类型？什么ERCC,普条，详细讲一下，谢谢😊根据内存模块的接口形式，常见的内存模块有两种：单列直插内存模块（SIMM）和双列直插内存模块（DIMM）。 SIMM内存模块分为30线和72线。 与SIMM内存模块相比，DIMM内存模块有168个引脚。 DIMM可以单独使用，也可以混合不同容量。 SIMM必须成对使用。 根据存储器的工作方式，存储器有FPAEDODRAM和SDRAM（同步动态RAM）的形式。 FPA(FASTPAGEMODE)RAM快速页模式随机存取存储器：这是早期计算机系统中常用的存储器。 它每三个时钟脉冲周期传输一次数据。 EDO（EXTENDEDDATAOUT）RAM扩展数据输出随机存取存储器：EDO存储器取消了主板和内存两个存储周期之间的时间间隔。 它每两个时钟脉冲周期输出一次数据，大大缩短了访问时间。 存储速度提升30%。 EDO一般为72针，EDO内存已被SDRAM取代。 S（SYSNECRONOUS）DRAM同步动态随机存储器：SDRAM为168针，是目前PENTIUM及以上型号使用的存储器。 SDRAM通过同一个时钟将CPU和RAM锁定在一起，让CPU和RAM共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作。 每个时钟脉冲的上升沿开始传输数据，速度比EDO存储器高50%。 。 DDR（DOUBLEDATARAGE）RAM：SDRAM的更新产品，允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，从而在不增加时钟频率的情况下使SDRAM的速度加倍。 RDRAM（RAMBUSDRAM）内存总线型动态随机存取存储器；RDRAM是RAMBUS公司开发的一种新型DRAM，具有系统带宽和芯片间接口设计。 它可以通过简单的总线在非常高的频率范围内传输数据。 它还使用低信号在高速同步时钟脉冲的两个边沿上传输数据。 INTEL将在其820芯片组产品中添加对RDRAM的支持。 由于这种内存太贵，在PC上已经看不到了。 DDR2（双倍数据速率2）SDRAM是JEDEC（联合电子设备工程委员会）制定的新一代内存技术标准。 它与上一代DDR内存技术标准最大的区别在于，虽然同样采用时钟的上升/下降延迟进行数据传输的基本方法，但DDR2内存的预读能力是上一代DDR内存的两倍（即：4位数据读取预取）。 换句话说，DDR2内存每个时钟可以以外部总线速度4倍的速度读/写数据，并且可以以内部控制总线速度4倍的速度运行。 另外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装，与目前广泛使用的TSOP/TSOP-II封装不同，FBGA封装可以提供更好的电气性能和散热，这为DDR2内存提供了稳定性。 为未来频率开发奠定坚实的基础。 回顾DDR的发展历史，从第一代DDR200通过DDR266、DDR333应用于个人电脑到如今的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也已经达到了技术的极限，已经通过传统的方法很难提高记忆力。 工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前总线对内存带宽的要求越来越高，更高、更稳定工作频率的DDR2内存将是大势所趋。
