4000频率内存条为什么时序很高(内存条时序是什么意思)
本文目录一览内存时序高会怎么样？影响电脑性能吗？
内存时序高表示系统性能低且延迟高，这会对计算机性能产生一定影响。
内存计时数字越低通常意味着性能越快。 决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位测量。
内存时序是描述内存模块性能的参数。 通常保存在存储模块的spd中，称为cl值，是内存的重要参数之一。 一些内存品牌会在内存模块标签上打印cl值。 目前，一般较好的内存条都会在设置中标注cl值。
一般来说，时序是决定内存性能的一个参数，但这并不意味着时序越低，性能就越好。 这也与存储容量和频率有关。 只能说，相同容量、相同频率的两个存储器中，同步度越低，性能越好。
详细信息：
内存时序的具体含义：
内存时序是描述内存性能的一个参数。 模块，通常存储在内存中。 在模块的spd中，通用数字“a-b-c-d”对应的参数为“cltrcdtrptras”，其含义如下：
1cl：所需的时钟周期。 列的寻址（表示延迟的持续时间）
确实，在相同频率下，cl值越小，内存模块的性能越好。 随着存储器模块的频率增加，存储器模块的频率也增加。 ddr1-4的cl值越来越大，但其实际cl延迟时间几乎没有变化。 这意味着cl值越大，存储模块的cl延迟越大，存储模块的cl延迟越差。 反之，ddr1-4的cl值越高，增加的频率越高。
2.tRCD：行寻址和列寻址时钟周期之间的差异
TrCD的值对内存模块期望达到的最大内存频率影响最大。 频率，但如果无法提高电压并释放cl值，则只能提高trcd值。
现在的DDR4一般都是1.2V，如果你想让CL好看，如果你想让内存条超频到更高的水平，就增加TRCD，如果你想要灯光效果，就增加时序。 因此，大的trcd并不意味着内存模块不好，而是意味着内存模块可能会超过非常高的频率。
3.TRP：在下一个周期之前预充电所需的时钟周期
尽管TRP的影响随着Bank操作的频繁而增加，但其影响也会因Bank而异。 频繁操作。 因交叉操作和指令来源而被削弱。 放宽trp，有利于提高线地址开关的成功率和准确度，放宽trp，使内存模块兼容性更好。
4.tras：存储一行数据时，从操作开始到寻址结束的总时间段。
此操作不常见，仅在内存空闲或新任务启动时使用。 如果tras值太小，会导致错误或数据丢失。 如果该值太大，会影响内存性能。 如果内存模块负载较高，则可以稍微放宽tras值。
参考来源：百度百科--内存时序
内存时序：性能关键还是令人困惑？
选择电脑内存时，除了内存容量和频率外，内存时序也常常被忽视。 事实上，它是一个重要的指标，但很多人对其意义和优劣存有疑问。 内存时序，准确的说，是描述内存条性能的一个参数。 它通常用CL值表示并存储在SPD中。 它是衡量内存性能的关键参数之一。
内存时序详解
内存时序包括tRAS、tRCD等组件，是内存响应时间的序列。 当接收到读请求时，tRAS首先启动，然后在存储器开始实际数据传输之前进行预充电。 tRCD阶段是行地址初始化，CAS（ColumnAddressStrobe，列地址选通）是最后一步找到所需数据的精确地址。 CAS延迟决定整体速度，因此CAS性能至关重要。
性能与时序的关系
在保证系统稳定性的前提下，内存时序与性能密切相关。 通常，在相同频率下，时序值越低，内存性能越好。 但这并不意味着低时序始终是最佳选择，因为时序与内存容量、频率和其他因素相互作用。 因此在比较内存性能时，应该考虑这些因素。
一般来说，内存时序是衡量内存性能的一个重要参数。 了解它的功能和选择原则可以帮助我们更好地为电脑配置合适的内存条。
对于相同频率的内存，时序越低越好。
时序中的CL-TRCD-TRP(11-11-11)表示11个时钟。 1600Mhz内存中的默认时序为11-11-11，1333Mhz中的默认时序为9-9-9，因此时序为9-9-9的1600Mhz内存比时序为11-11-11的1600Mhz内存快。 谢谢。 常见的超频，除了将频率从1333改为1600Mhz外，专家还会改变时序。
基本解释
通用数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency（简称CL值）内存CAS延迟时间，它是内存的重要参数之一。 有些品牌的内存会在内存条的标签上打印CL值；RAS-to-CASDelay(tRCD)，存储器行地址传输到列地址的延迟时间。
RASPrechargeDelay（tRP），存储器行地址选通脉冲预充电时间；RowActiveDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟。 这是玩家最关心的四个时机调整。 它们可以在大多数主板的BIOS中设置。 内存模组制造商也计划推出低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存模组。
在相同频率设置下，“2-2-2-5”的最小串行时序内存模块确实可以带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，范围从3到5个百分点。
