内存时序参数 |
描述 | 默认值 | 建议值 | DRAM Timing Mode |
内存时序模式 | Auto | 手动设置,根据内存规格和主板支持进行调整 | CAS Latency (CL) |
CAS 延迟 | 14~16 | 根据内存规格和主板支持进行调整,一般越低越好 | tRCD |
RAS 到 CAS 延迟 | 14~16 | 一般与 CL 相同或相近 | tRP |
RAS 预充电延迟 | 14~16 | 一般与 CL 相同或相近 | tRAS |
RAS 激活时间 | 35~40 | 一般与 CL 和 tRCD 相近 | tRC |
行循环时间 | 55~60 | 一般与 tRAS 相近 | tRFC |
刷新周期时间 | 300~400 | 一般保持默认值 | tRRD |
行到行延迟 | 4~6 | 一般保持默认值 | tWR |
写入恢复时间 | 8~10 | 一般保持默认值 | Command Rate (CR) |
命令速率 | 1T 或 2T | 1T 比 2T 更快,但可能需要更高的电压 | Voltage (V) |
电压 | 1.2V 或 1.35V | 根据内存规格进行调整 | 说明:
以上只是常见的内存时序参数,具体参数可能因主板型号和内存规格有所不同。
默认值仅供参考,建议根据内存规格和主板支持进行调整。
调整内存时序参数可能会导致系统不稳定,建议谨慎操作。
如果不确定如何调整,建议保持默认值。
调整内存时序参数的步骤:
1. 进入 BIOS 设置界面。
2. 找到内存设置选项,一般在 Advanced 或 DRAM Configuration 中。
3. 调整相应的参数,建议每次只调整一个参数,然后保存并重启系统。
4. 测试系统稳定性,如果出现问题,可以恢复默认值。
注意事项:
并非所有主板都支持手动调整内存时序参数。
调整内存时序参数可能会影响系统性能和稳定性,建议谨慎操作。
调整参数时,建议参考内存规格和主板手册。
如果不确定如何调整,建议保持默认值。