时序 |
描述 | 最佳值 | CL (CAS Latency) |
内存芯片读取数据所需的时钟周期数 | 14-16 | tRCD (RAS to CAS Delay) |
从 RAS 信号到 CAS 信号之间的延迟 | 14-16 | tRP (RAS Precharge) |
RAS 信号关闭后,内存芯片需要等待的时钟周期数 | 14-16 | tRAS (RAS Active Time) |
RAS 信号保持激活的总时间 | 35-40 | tRC (Row Cycle Time) |
两次 RAS 信号之间的最小间隔 | 55-60 | tRFC (Refresh Cycle Time) |
内存刷新周期 | 350-400 | tWR (Write Recovery Time) |
写入数据后,内存芯片需要等待的时钟周期数 | 6-8 | tWTR (Write to Read Delay) |
写入数据后,到可以读取数据的延迟 | 6-8 | 注意:
以上表格中列出的最佳值仅供参考,实际最佳值可能会因内存模块、主板和 CPU 的不同而有所差异。
将内存时序压到最低可能会导致系统不稳定,因此建议在进行任何更改之前备份您的数据,并谨慎操作。
其他建议:
使用 XMP 或 DOCP 配置文件来加载内存制造商提供的最佳时序设置。
使用内存测试软件来验证内存的稳定性。
在进行任何更改之前,请确保您的主板和 CPU 支持所选的时序设置。