内存3200最佳时序

DDR4-3200 内存的最佳时序因平台、主板和内存模块而异。 不过，以下是通常被认为是最佳的基准时序：
主时序 (CL-tRCD-tRP-tRAS)
CL16
tRCD18
tRP18
tRAS36
次要时序 (tRC-tRFC-tRRD-tRRDL-tFAW)
tRC56
tRFC560
tRRD4
tRRDL6
tFAW16
三级时序 (tRTP-tCMD-tWTR)
tRTP7
tCMD8
tWTR8
其他时序
tCWL12
tCCD12
说明：
CL (CAS Latency)：从发送读取命令到数据可用的时钟周期数。
tRCD (RAS to CAS Delay)：从激活RAS到发送CAS命令之间的时钟周期数。
tRP (RAS Precharge Time)：从发出预充电命令到RAS信号断开之间的时钟周期数。
tRAS (RAS Active Time)：RAS保持激活状态的时钟周期数。
tRC (Row Cycle Time)：从发送激活命令到发送预充电命令之间的时钟周期数。
tRFC (Refresh Cycle Time)：内存刷新操作所需时钟周期数。
tRRD (Row Refresh Delay)：两行激活之间所需的时钟周期数。
tRRDL (Row Refresh Delta)：同一bank中的两行刷新之间所需的时钟周期数。
tFAW (Four Activation Window)：连续激活四个bank之间的时钟周期数。
tRTP (RAS to Precharge Time)：从发送RAS命令到发送预充电命令之间的时钟周期数。
tCMD (Command Rate)：发送命令之间所需的时钟周期数。
tWTR (Write to Read Delay)：从写操作到读取操作之间的时钟周期数。
tCWL (CAS Write Latency)：从发送CAS写命令到数据写入完成之间的时钟周期数。
tCCD (Command to Command Delay)：两个相邻命令之间的时钟周期数。
请注意，这些只是基准时序，实际最佳时序可能会根据特定系统而有所不同。 为了获得可能的最佳性能，建议使用鲁棒的内存基准测试工具对不同的时序设置进行测试。