内存超到3200电压时序怎么调
1. 安全电压范围
DDR4 内存的推荐安全电压范围为 1.2V-1.45V。
超频时，电压不要超过 1.5V，以避免损坏内存。
2. 时序调整
时序参数指定了内存访问数据时所需的时钟周期数。
降低时序可以提高内存性能，但也可能导致不稳定。
3. 逐步调整
逐步调整电压和时序，并测试稳定性。
从安全电压范围内的较低电压开始，逐渐增加电压直至稳定。
然后，针对每个时序参数进行类似的调整，同时监视稳定性。
4. 推荐时序
对于 3200 MHz 的 DDR4 内存，推荐的时序如下：
CL (CAS Latency)：16
tRCD (RAS to CAS Delay)：18
tRP (RAS Precharge Time)：18
tRAS (RAS Active to Precharge Delay)：36
5. 稳定性测试
使用内存测试软件（如 MemTest86+）来测试稳定性。
运行测试至少一个小时，以确保内存稳定。
6. 示例调整
从 1.35V 电压和推荐时序开始。
如果稳定，可以尝试将电压降低到 1.3V 或增加电压到 1.4V。
如果降低时序后出现不稳定，可以尝试将时序恢复到推荐值或更高的值。
注意事项：
超频存在风险，可能损坏内存或系统。
仅在了解风险并拥有适当的冷却设备的情况下进行超频。
如果遇到任何问题，请恢复到默认设置。
