一般3200内存最佳时序
本文目录一览七彩虹3200内8gx2存普条时序是多少工作顺序CL=16-18-18-38。
内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，计量单位是时钟。
这些参数决定了延迟（延迟时间），从而影响RAM的速度。
数字越低通常意味着性能越好。
决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。
DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。 基于此1ns时钟，CL=7给出7ns的绝对延迟。 更快的DDR3-2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可以使用更大的CL=9，但最终产生的6.75ns绝对延迟较短。
16G3200的内存时序是16-18-18-36。 时序只是描述内存性能的一个参数。 一般用阿拉伯数字表示。 时序对内存性能的影响最为明显，而在这四组数字中，第四组数字有时会被忽视。 一般来说，这些数字代表内存延迟时间。 一般来说，数字越小越好。
内存是计算机的重要组成部分之一，也称为内存、主存。 它用于临时存储处理器中的计算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。 光盘。 它是外部存储器和处理器之间的桥梁。 所有计算机程序都在内存中运行。 内存性能影响计算机的整体性能。
内存的作用
内存也称为主存。 它是CPU可以直接寻址的存储空间。 它是由半导体器件组成的。 并具有访问速度快的特点。 与外部存储器相比，存储器是计算机的主要组成部分。
我们平时使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等。 它们通常安装在硬盘等外部存储上，但它们的功能不能单独使用，因为它们必须转移到内存中运行才能真正使用它们的功能。
以上内容参考百度记忆百科
DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。 基于此1ns时钟，CL=7给出7ns的绝对延迟。 更快的DDR3-2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可以使用更大的CL=9，但最终产生的6.75ns绝对延迟较短。
