内存时序36和40的区别
时序参数
CAS延迟 (CL)：CAS命令执行与读取数据之间的时钟周期数。
转存延迟 (tRCD)：转存命令执行与读取数据之间的时钟周期数。
写入延迟 (tWR)：写入命令执行与数据实际写入内存之间的时钟周期数。
36时序
典型值：CL16-18，tRCD18-20，tWR16-18
40时序
典型值：CL19-20，tRCD21-22，tWR18-19
主要差异
CL：40时序的CL比36时序高，这会导致稍长的命令执行延迟。
tRCD：40时序的tRCD也比36时序高，这会增加内存阵列激活时间。
tWR：40时序的tWR与36时序大致相同。
性能影响
一般来说，具有较低时序的内存（例如36时序）在延迟敏感型应用中性能更好，例如游戏和实时应用程序。 然而，时序并不是影响内存性能的唯一因素，而且时序之间的差异很小。
成本和可用性
成本：40时序内存通常比36时序内存更便宜。
可用性：40时序内存更常见，特别是在中低端内存模块中。
总结
对于大多数应用，时序差异不会对性能产生显着影响。 然而，在延迟敏感型应用中，36时序内存可能是一个更好的选择。 对于价格敏感的构建，40时序内存提供了更高的性价比。