内存时序调多少

内存时序是一组参数，用于控制内存模块的读写操作，影响内存性能和稳定性。 主要参数包括：
CL（CAS延迟）：从发出CAS（列地址选通）信号到实际读写数据的时间。
tRCD（行地址到CAS延迟）：从发出RAS（行地址选通）信号到CAS信号的时间。
tRP（行预充电时间）：关闭存储器行的时间。
tRAS（行地址到行激活时间）：从RAS信号到激活行的时间。
时序调优原则
内存时序调优的目标是找到最稳定的时序，同时保持或提高性能。 遵循以下原则进行调优：
逐步降低时序：逐步降低时序，直到系统出现不稳定。
观察系统稳定性：使用Memtest86+或类似软件测试系统稳定性。
增加电压：如果降低时序导致不稳定，可以尝试增加内存电压以提高稳定性。
考虑性能和稳定性：在性能和稳定性之间取得平衡。 时序越低，性能越好，但稳定性可能降低。
时序调优步骤
1. 收集信息：确定内存模块的JEDEC标准时序，通常打印在内存模块上。
2. 设置BIOS时序：进入BIOS并手动设置内存时序。
3. 运行稳定性测试：使用Memtest86+或其他软件运行长时间的稳定性测试。
4. 逐渐降低时序：如果测试通过，逐步降低时序（例如，CL从16降低到15）。
5. 重复测试：每次降低时序后，重新运行稳定性测试。
6. 找到稳定点：持续降低时序，直到出现不稳定。
7. 提高电压：如果遇到不稳定，可以尝试增加内存电压（遵循内存模块的规格）。
8. 优化性能：在稳定点，可以进一步微调时序以寻求最佳性能（例如，降低tRCD或tRP）。
常见时序
以下是常见的DDR4内存时序：
JEDEC标准时序：16-18-18-38
优化时序：14-16-16-34
极致时序（需要更高的电压）：12-14-14-28
注意事项
调优内存时序需要时间和耐心。
过度降低时序或增加电压可能会损坏内存模块。
在调优之前，请备份重要数据。
如果不确定，最好使用JEDEC标准时序。