pn结的禁带宽度一般多少

这个能量的最小值就是禁带宽度，锗的禁带宽度是0.785ev；硅的禁带宽度是1.21ev；砷化镓的禁带宽度很窄，成为金属。成为绝缘体，反向保持的电压和半导体正向电压的下降与传输和截止之间的带隙宽度有关，沟道耗尽模式N的MOS管工作在恒流区时，极与极之间的电势有固定的大小关系。

例如：室温（300K），锗的禁带宽度约为0.66ev；ibitadelsilicones，即约为1.12ev；砷化镓的能隙宽度约为1.424ev；6A至10-8A。

要使用伏安法测量pn结的电压，请使用最小二乘法线性拟合UbeT关系以获得带隙宽度。

在单晶半导体中，当一部分掺杂受主杂质，为P型半导体，另一部分掺杂施主杂质，为N型半导体时，界面附近的过渡区P型半导体和N型半导体之间的称为结PN。