内存延迟和哪个时序有关

详解内存Gear2模式，AMD平台内存延迟降低5-15的方法，开启cr2选项。【装机猿】游戏卡顿就升内存？真的包治百病？,世纪性难题：内存频率和时序该到底1. CAS延迟时间(CL): CAS延迟时间，也称为列地址选择延迟时间，是内存模块从接收到读写命令到开始读取或写入数据之间的时间间隔。它表示了内存模块对于处理器请求的响应速度。一般来说，CL值越小，内存读写速度越快。2.数据传输延迟时间(tRCD、tRP等): 数据传输延迟时间指的是从列地址选定完成到内存模块开始读取或写入数据之间的时间间隔。这个参数与内存芯片的速度和质量有关，低延迟意味着更高

内存时序由4个数字组成，中间用破折号隔开，例如16-18-18-38这些数字表示延迟，也就是内存的反应时间。当内存接收到CPU发来的指令后，通常需要几个时钟周期来处理它，比如访问某一块数据。所以，时间越短，内存性能越好。频率和时序一起，共同决定了内存可以跑得多快。不过相比频率，时序由四位数字组成，每一个数字都代表不同的含义，在理解上自然更加复杂一些。内存时序分别对应的参数为“CL-tRCD-tRP内存频率是一个数字，而内存时序则是一大串数字，最常用的就有4个，表述的时候中间用破折号隔开，例如16-18-18-38。这些数字都表示延迟，也就是内存的反应时间。当内存接收到CPU发来的指令后，通常需要几个时钟周期来处理它，比如访问某一块数据，这就对应时序参数。当然了，这个处理时间越短，内存性能越好。内存时序4个数字对应的参数分别为CL、tRCD、tRP、tRAS,单位都是时间周期，也就是一

内存的时序会随着频率的增加而增加，内存的延迟可以用这个公式来计算：内存延时=时序（CL x 2000 ）内存频率。DDR:(CL3*2000)/400MHz=15ns DDR2:(