首页 > 内存

内存条时序是什么意思


时序定义CL(CAS延迟)读取数据之前,访问存储单元所需的时间tRCD(行地址到列地址延迟)从读取一行地址到读取同一行中的不同列地址所需的时间tRP(行预充电时间)在读取同一行中的不同列地址之前,关闭当前行的所需时间tRAS(行激活到预充电时间)在关闭行之前,该行保持激活状态所需的时间tRC(行循环时间)从读取一个列开始到读取同一行的下一个列所需的总时间,等于CL + tRCD + tRP + tRAS

内存条时序的专业介绍
内存条时序是指访问和操作内存条中数据的延迟时间,由一组四个数字表示,称为CL-tRCD-tRP-tRAS。
CL (CAS Latency):延迟时间,定义为在内存控制器向内存条发送读取或写入命令后,数据准备好输出到内存总线之前所需的时间。
tRCD (Row Address to Column Address Delay):行地址到列地址延迟,定义为在内存控制器向内存条发送行地址后,读取或写入命令发送到同一行中的不同列地址之前所需的时间。
tRP (Row Precharge Time):行预充电时间,定义为关闭内存条中一行之前,该行保持激活状态所需的时间。
tRAS (Row Active to Precharge Time):行激活到预充电时间,定义为在内存条中的不同行之间切换之前,当前行保持激活状态所需的时间。
较低的时序表示更快的内存访问速度。 然而,时序越低,内存条的成本也越高。 选择合适的时序需要在性能和成本之间进行权衡。

返回顶部