3200频率内存时序多少比较好
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2、 CASLatency为16最佳。 3200MHz是比较高的内存频率,在笔记本中使用时,给操作系统和应用程序带来了很好的性能提升。 而内存时序也是很重要的,影响着内存寻址的效率,而较佳的内存时序是CASLatency为16最佳。
4、 ddr43200内存时序参数调为3200(16)8Gx16,CL16-16-161.35V为好。 加载XMP可直接提升频率为DDR4-3200-16-16-16-362T,高频下的电压为1.35V。
5、 ddr4内存时序参数3200(16)8G×16,CL16-16-161.35V为好,默认DDR42133,1.2V,加载XMP可以直接提升频率为DDR4320016-16-16-362T,高频下的电压为1.35V。 ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序,首先应该从调整第二时序入手,放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率。
3、 18-22-22-42。 将金士顿3200的内存超频到3600时,最佳的时序设置是18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟(CL)设置为18个时钟周期,RAS到CAS延迟(tRCD)设置为22个时钟周期,行预充电时间(tRP)设置为22个时钟周期,以及行激活到预充电时间(tRAS)设置为42个时钟周期。 可以在保持稳定性获得较高的性能。
1、 16-18-18-38。 3200内存的工作标准电压为1.35V,正常时序为16-18-18-38。 内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数之一。
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