4、 相同频率的内存，时序越低越好。 时序里的CL-TRCD-TRP(11-11-11)，表示11个时钟，在1600Mhz的内存里默认时序是11-11-11， 1333Mhz默认是9-9-9，所以1600Mhz的内存，时序9-9-9的比1600Mhz 11-11-11时序的内存要快谢谢。 常见的超频，除了改频率1333 到 1600Mhz, 高手还会改时序。

1、   第五代双倍数据速率DDR5双列直插式内存模块是一种高速、高性能的内存模块，适用于需要高带宽和低延迟的应用场景。 与前几代内存模块相比，DDR5双列直插式内存模块具有更高的数据传输速率和更低的功耗，同时提供了更大的内存容量和更高的可靠性。 在数据密集型应用、云计算、人工智能等领域，DDR5双列直插式内存模块将成为未来的主流选择。 总之，DDR5双列直插式内存模块具有出色的性能和可靠性，适用于各种需要高带宽和低延迟的应用场景。 第五代双倍数据速率双列直插式内存模块 (DDR5) 插槽包括表面贴装技术，可以满足当今内存模块应用所需的更高数据速率,包括 288 位、0.85mm 间距。 DDR5 DIMM 插槽支持 288 插针 SMT 型UMAXCONN - DDR5 插槽连接器设计了短、中、长和窄锁闩选项，可满足不同的空间要求。 它还提供了多个颜色和电镀选项。 我们的 DDR5 插槽连接器专为提高数据速率而设计，可提供比 DDR4 DIMM 插槽连接器高两倍的性能。

2、 DDR3内存通常值为90-120。 低于80时，可能导致不稳定。 CL、tRCD、tRP和tRAS称为第一时序，对颗粒性能的影响最明显，也最重要。 首先要内存时序（英语：Memory timings或RAM timings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。

3、 18-22-22-42。 将金士顿3200的内存超频到3600时，最佳的时序设置是18-22-22-42。 内存模块的CAS延迟（CL）设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟（tRCD）设置为22个时钟周期，行预充电时间（tRP）设置为22个时钟周期，以及行激活到预充电时间（tRAS）设置为42个时钟周期。 可以在保持稳定性获得较高的性能。