3200的内存条时序一般多少

| 时序 | 典型值 |
|---|---|
| CAS Latency (CL) | 16 |
| Row Address to Column Address Delay (tRCD) | 18 |
| Row Precharge Time (tRP) | 18 |
| Row Active Time (tRAS) | 36 |
| Row Refresh Cycle Time (tRFC) | 600 |
| Command Rate (CR) | 2 |
专业介绍
3200 MHz 内存条的典型时序为 CL16-18-18-36-600 2T。 这表示：
CAS Latency (CL)：延迟周期数从读取命令发送到内存返回数据。
Row Address to Column Address Delay (tRCD)：延迟周期数从发送行地址到发送列地址。
Row Precharge Time (tRP)：延迟周期数从预充电行到激活另一行。
Row Active Time (tRAS)：延迟周期数从激活行到预充电。
Row Refresh Cycle Time (tRFC)：延迟周期数从一个刷新周期到下一个刷新周期。
Command Rate (CR)：控制命令速率的时序参数。
时序值越低越好，因为这表示内存可以更快地访问数据。 然而，时序较低的内存条通常价格较高。 对于大多数用户来说，CL16 内存条提供了一个良好的平衡，既能获得体面的性能，又能保持经济实惠。