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2666内存时序怎么选

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1、内存时序怎么设置?

内存时序是通常存储在内存模块的SPD上的设置。 调整方法如下:

1.按F12进入BIOS,然后在BIOS设置中搜索“DRAMTimingSelectable”。 。

2.BIOS设置中可能出现的其他描述包括:AutomaticConfiguration、Auto、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等。 将其值设置为“菜单”(取决于BIOS)选项。 是:开/关或启用/禁用)。

3.内存按照行和列寻址。 当查询被触发时,最初是tRAS。

4.预加载后,内存实际上开始初始化RAS。 启用tRAS后,RAS(RowAddressStrobe)开始寻址所需的数据。

首先是行地址,然后初始化tRCD,循环结束,然后通过CASE访问所需数据的精确十六进制地址。 从CAS开始到CAS结束的期间为CAS截止日期。 所以CAS是查找数据的最后一步,也是最重要的内存参数。

详细信息:

最常见的内存延迟设置是CAS(CL)、tRCD、tRP和tRAS,其中大多数遵循JEDEC内存标准。 下面介绍几种配置方法:

1.较低的CAS周期可以减少内存延迟时间,提高内存运行效率。 因此,只要操作系统能够稳定运行,CAS参数就应该尽可能调低。

2.tRCD(RASToCASDelay):存储器行地址控制器和列地址控制器之间的延迟时间。 有两个设置选项:2和3。 越小越好。

3.tRP(RASPrechargeTime):存储器行地址控制器预充电时间。 有两个设置选项:2和3。 预载设置越小,内存读写速度越快。

4.tRAS(RASActiveTime):从内存线有效到预充电的最短周期。 我们有三种可选设置选项:5、6或7,但某些nForce2主板上的选择范围非常大。 大,最高可以是15,最低可以是1。 这个参数最好调整在5到11之间。


2、小白求问,内存时序怎么看好坏
一般用户关注的是内存时序的频率,频率越高越好(当然DDR3频率为800-1600MHz,DDR4频率为1600-2666MHz)。 CAS-TRCD等延迟,9-9-9表示CAS是9个时钟周期,越少越好,这里面有很多细节。
3、内存时序怎么设置?

调整内存时序时,应遵循安全原则,不要过度调整,以免损坏硬件。 同时,您需要备份BIOS设置,以便在出现问题时可以恢复它们。 备份BIOS设置内存时序是指内存工作的速率,也是影响内存读写数据速度和稳定性的重要因素。
确认内存支持的时序备份BIOS设置备份BIOS设置内存时序是内存工作的节奏,也是影响内存数据读写速度和稳定性的重要因素。 内存时序包括时序频率、时序、时序电压等。
如何调整内存时序:首先重新启动计算机,按Logo界面上的热键进入BIOS设置。
可选设置:Auto、0、1、2、3、4、5、6、7。 该值是内存计时参数中的第三个参数“3-4-4-8”,即第二个4
一般来说,内存调整时序包括四个参数:CAS时序、RAS时序、周期时间和写延迟。 这些参数可以通过BIOS界面进行设置。 具体步骤如下:进入计算机的BIOS设置面,通常是按DELETE或F2键。
重新启动计算机,按Logo界面上的热键进入BIOS设置。 登录后,找到高级选项,选择高级芯片组功能。 登录后,将DRAMTimingSelectable更改为手动。 激活时序调整后,会出现另外4个选项,即内存时序。

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