3200内存最佳时序

| CAS 延迟 (CL) | 行地址到列地址延迟 (tRCD) | 行预取时间 (tRP) | 行激活到刷新时间 (tRAS) | 行刷新循环时间 (tRFC) |
|---|---|---|---|---|
| 16 | 18 | 18 | 36 | 350 |
| 17 | 21 | 21 | 42 | 400 |
| 18 | 24 | 24 | 48 | 450 |
3200 内存最佳时序的专业介绍
3200 MHz 内存的最佳时序是影响其性能的关键因素。 时序是指内存访问数据时所需的时间延迟，单位为时钟周期。
CAS 延迟 (CL) 是从发出读取命令到实际读取数据所需的时间。 较低的 CL 值表示更快的读取速度。
行地址到列地址延迟 (tRCD) 是从发出行地址到发出列地址所需的时间。 较低的 tRCD 值表示更快的寻址速度。
行预取时间 (tRP) 是从发出行地址到发出行预取命令所需的时间。 较低的 tRP 值表示更快的预取速度。
行激活到刷新时间 (tRAS) 是从发出行地址到该行数据可以刷新所需的时间。 较低的 tRAS 值表示更快的刷新速度。
行刷新循环时间 (tRFC) 是从发出行刷新命令到该行数据可以再次访问所需的时间。 较低的 tRFC 值表示更快的刷新速度。
3200 MHz 内存的最佳时序旨在平衡这些时序，以实现最佳的性能和稳定性。 对于大多数系统，建议使用 CL 16、tRCD 18、tRP 18、tRAS 36 和 tRFC 350 的时序。 但是，根据具体硬件配置，可能需要微调时序以获得最佳结果。