3200内存超频设置参数
| 参数 | 描述 | 推荐值 |
|---|---|---|
| 内存频率 | 内存的运行速度 | 3600MHz 4266MHz（根据内存颗粒和主板支持情况调整） |
| CPU:DRAM Clock Ratio | CPU外频与内存频率的比值 | 根据外频和内存标准频率设置，如1333MHz外频对应DDR2 1066MHz，可设置1:1 |
| DRAM CAS Latency | 内存读取操作延迟 | 9 12（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM RAS to CAS Delay | 内存行激活到列地址选择的延迟 | 9 12（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM RAS Active Time | 内存行激活时间 | 20 25（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Write Recovery Time | 内存写入恢复时间 | 15 20（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Write Training Time | 内存写入训练时间 | 5 10（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Read Training Time | 内存读取训练时间 | 5 10（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Read to Write Delay | 内存读取到写入的延迟 | 5 10（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Write to Read Delay | 内存写入到读取的延迟 | 5 10（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Load to Active Delay | 内存加载到激活的延迟 | 5 10（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Active to Precharge Delay | 内存激活到预充的延迟 | 5 10（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Precharge Time | 内存预充时间 | 5 10（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Power Down Delay | 内存掉电延迟 | 5 10（根据内存颗粒性能和稳定性要求调整） |
| DRAM Self Refresh Current | 内存自刷新电流 | 默认值或根据内存规格调整 |
| DRAM Termination Voltage | 内存终止电压 | 默认值或根据内存规格调整 |
