只换内存条要直接改时序吗

关于设置内存时序的问题先把内存统一费率设置改为手动，然后按照这个设置
内存同步详解
编辑|删除|权限设置|更多▼更多▲设置最高推荐日志为私有发布于5月2010年14月14日下午6:25阅读(1)评论(0)
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tCL:CASLatencyControl(tCL)
通常当检查内存时序设置，如“8-8-8-24”等数字序列，上述数字序列对应的设置为“CL-tRCD-tRP-tRAS”。第一个“8”是第一个参数，CL参数。
CASLatencyControl（也被描述为tCL、CL、CASLatencyTime、CASTimingDelay），CASlatency是“Memory读写操作最前沿的地址控制器的延迟”。CAS控制接收指令和执行指令之间的时间。由于CAS主要控制内存阵列中的十六进制地址或列地址，因此这是最重要的设置，为了稳定性应该设置得尽可能低。
内存按行和列寻址。当请求被触发时，最初是tRAS（ActivetoPrechargeDelay）。预充电后，内存实际上开始初始化RAS。启用tRAS后，RAS(RowAddressStrobe)开始寻址所需的数据。首先初始化行地址，然后tRCD，循环结束，然后通过CAS访问所需数据的准确的十六进制地址。从CAS开始到CAS结束的期间为CAS截止日期。所以CAS是查找数据的最后一步，也是最重要的内存参数。
此设置控制存储器在接收到数据读取指令之后在实际执行该指令之前必须等待的时钟周期数。同时，该参数还决定了完成内存突发传输的第一部分所需的时钟周期数。该设置越小，内存越快。需要注意的是，某些内存无法以较低的延迟运行，并且数据可能会丢失。此外，增加延迟可能会导致内存以更高的频率运行。所以当需要对内存进行超频时，应该尽量增加CAS延迟。
此设置对内存性能影响最大。为了保证系统稳定性，CAS值越低，内存读写操作越快。
内存标签
tRCD:RAStoCASDelay
该值是内存时序参数“8-8-8-24”的第二个参数，也就是说第二个“8”。RAStoCASDelay（也称为：tRCD、RAStoCASDelay、ActivetoCMD）表示“行到列寻址延迟”。该值越小，性能越好。当读、写或刷新存储器时，必须在这两个脉冲信号之间插入一个延迟时钟周期。在JEDEC规范中，这是第二个分类参数。减少这种延迟可以提高系统性能。如果您的内存超频效果不佳，您可以将此值设置为内存默认值或尝试增加tRCD值。
tRP:RowPrechargeTiming(tRP)
该值是内存时序参数“8-8-8-24”的第三个参数，即第三个“8””。RowPrechargeTiming（也称为：tRP、RASPrecharge、Prechargetoactive），表示“内存行地址控制器预充电时间”。预载设置越小，内存读写速度越快。tRP用于设置RAS所需的充电时间，然后才能激活另一条线路。
tRAS:MinRASActiveTiming
该值是内存时序设置的最后一个参数“8-8-8-24”，即“24”。MinRASActiveTime（也称为：tRAS、ActivetoPrechargeDelay、RowActiveTime、PrechargeWaitState、RowActiveDelay、RowPrechargeDelay、RASActiveTime）表示“内存行有效预充电的最短周期”。该参数的调整应根据具体情况而定。设置在24到30之间比较好。这个参数要根据实际情况来确定。这并不意味着越大或越小越好。
如果tRAS周期过长，系统会因不必要的等待而导致性能下降。减少tRAS周期将使激活的线路地址更快地进入非活动状态。如果tRAS周期太短，数据突发传输可能会因时间不足而无法完成，从而导致数据丢失或损坏。该值通常设置为CASlatency+tRCD+2个时钟周期。
DDR2-DDR3的更换转接基本完成。
对于大多数人来说，选择小内存硬件的容量和频率就可以了，然后插上即可。到主板并使用它，完全不用担心它的许多小设置。因此业内厂商也会提供一种相对万无一失的方式来读取SPD内存芯片的参数信息并自动设置各种小参数，简单易用，还有一种简单超频的参数——XMP技术，所以;普通用户也能轻松享受。当然，真正的游戏玩家总是更喜欢手动设置各种参数，以便在超频时达到最佳效果。希望通过这篇文章，大家能够对不同的内存参数有更深入的了解，对使用有所帮助。