一、内存时序高好还是低好
低内存同步很好。
内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS,测量单位是时钟。
它们通常写为用破折号分隔的四个数字,例如7-8-8-24。
第四个参数(RAS)经常被省略,有时会增加第五个参数,Commandrate,通常为2T或1T,也写为2N、1N。
这些参数决定了延迟(latencytime),它影响RAM的速度。
数字越低通常意味着性能越好。
决定系统性能的最后一个因素是实际延迟,通常以纳秒为单位。
内存同步参数介绍
CL(CASLatency):列地址访问延迟是最重要的时序参数。
tRCD(RAStoCASDelay):将内存行地址传输到tRCD列地址的延迟时间只是一个近似值,因此稍微更改该值不会对内存性能产生显着差异。
tRP(RASPrechargeTime):存储器线地址选通脉冲的预充电时间。
tRAS(RASActiveTime):行地址激活时间可以简单理解为在内存中写入或读取数据所需的时间。
通常它接近前三个参数的总和。
二、6000hz内存条c32时序算低吗
与DDR4内存相比,DDR5内存最大的特点就是内存频率的提升,进一步提升了内存带宽。
这样在解压软件的测试中可以得到比较好的结果。
快点例如,主流DDR5内存的时序一般在36-40左右;所以主要是帧率高的电竞游戏。
内存制造商往往特别针对这些消费者。
CL优化自家内存打造低延迟DDR5内存仅30