内存时序和频率对照表

内存频率 (MHz)	时序 (CL-tRCD-tRP-tRAS)	性能影响
DDR5-4800	CL30-36-36-76	较高性能，适合大多数应用
DDR5-5200	CL32-38-38-76	较高性能，适合大部分游戏和工作负载
DDR5-5600	CL36-45-45-90	良好性能，适合对性能有较高要求的应用
DDR5-6000	CL38-48-48-96	高频率，性能优秀，适合高端游戏和渲染
DDR5-6600	CL40-50-50-100	极高频率，性能卓越，适合专业级应用和高端游戏
DDR5-6800	CL38-42-42-76	极高频率，极低时序，适合追求极致性能的用户

专业角度介绍：
内存时序和频率是衡量内存性能的两个关键参数。 时序（CAS Latency, CL）指的是内存模块从接收地址信号到输出数据所需的时间，它通常与内存的读写周期有关，以CL-tRCD-tRP-tRAS的形式表示，其中：

CL：CAS Latency，内存访问的CAS延迟时间。
tRCD：Row Active to CAS Delay，行地址激活到CAS延迟时间。
tRP：Row Precharge Delay，行预充电延迟时间。
tRAS：Row Active Delay，行地址激活延迟时间。
时序越低，内存的反应速度越快，性能越好。 然而，降低时序可能会增加硬件的不稳定性。
频率（Memory Frequency）指的是内存模块的工作频率，通常以MHz（兆赫）为单位。 频率越高，理论上内存带宽越大，数据传输速度越快。
在选择内存时，时序和频率需要综合考虑。 一般来说，高频率内存在相同时序下性能优于低频率内存。 但在实际应用中，由于不同应用对内存性能的需求不同，因此时序和频率的平衡至关重要。
例如，对于一般办公和轻度游戏，可以选择时序较高但频率适中的内存；而对于高端游戏和渲染工作，则可能需要选择高频率低时序的内存以获得最佳性能。 此外，一些内存产品支持XMP（Extreme Memory Profile）超频技术，用户可以通过简单的设置实现更高的频率和时序。