超频至3600内存最佳时序
前言
超频内存可以释放其性能潜力，提升系统整体表现。
对于 3600MHz 内存，最佳时序的关键是找到在稳定性和性能之间取得平衡的设置。
以下指南将详细介绍超频至 3600MHz 内存的专业时序建议。
基本时序
CL（CAS 延迟）：16
tRCD（行激活到列激活延迟）：19
tRP（行预充电时间）：19
tRAS（行地址到行激活时间）：38
高级时序
tRFC（刷新周期）：560ns
tWR（写恢复时间）：13
tWTR（写到读转折时间）：8
tRTP（读到预充电转折时间）：10
电压设置
1.35V - 1.45V：推荐的电压范围，取决于内存模块的质量。
稳定性测试
超频后，至关重要的是使用内存测试软件（如 MemTest86 或 HCI MemTest）进行压力测试，以确保稳定性。
优化指南
从基本时序开始，并逐步降低时序，直到出现不稳定。
如果遇到不稳定，请提高电压或放宽时序。
同时调整多个时序可以改善稳定性。
使用高品质的散热器，以帮助内存模块在超频时保持凉爽。
注意事项
超频可能会使内存模块无效。
超频过大会导致系统不稳定或损坏硬件。
在超频之前，请备份重要数据。
不同主板和内存模块可能需要不同的时序设置。
结论
通过遵循这些建议，用户可以最大限度地提高 3600MHz 内存的性能，同时保持稳定性。
请记住，超频是一个逐步的过程，需要仔细调整和耐心。
