| 参数 |
描述 | 推荐值 | 注意事项 | | DRAM Voltage (VDD) |
内存电压，通常为 1.2V。
| 1.35V - 1.4V (根据内存型号和主板支持情况调整) | 过高电压可能损坏内存，建议逐步提高，并测试稳定性。
| | DRAM Timing |
内存时序，包括 CL、tRCD、tRP、tRAS 等。
| 根据内存型号和主板支持情况调整，建议参考官方规格书。
| 时序越低，性能越好，但越难稳定。
| | DRAM Frequency |
内存频率，通常为 2133MHz - 3200MHz。
| 根据内存型号和主板支持情况调整，建议逐步提高，并测试稳定性。
| 频率越高，性能越好，但功耗也越高。
| | Command Rate (CR) |
内存指令速率，通常为 1T 或 2T。
| 1T 性能更佳，但对内存要求更高。
| 建议根据内存型号和主板支持情况选择。
| | tRFC |
内存刷新周期，通常为 350 - 500。
| 根据内存型号和主板支持情况调整，建议参考官方规格书。
| 降低 tRFC 可以提高性能，但可能降低稳定性。
| | tFAW |
内存写入延迟，通常为 40 - 60。
| 根据内存型号和主板支持情况调整，建议参考官方规格书。
| 降低 tFAW 可以提高性能，但可能降低稳定性。
| | Voltage Control Mode (VCCIO/VCCSA) |
内存控制器电压，通常为 1.1V - 1.2V。
| 根据内存型号和主板支持情况调整，建议参考官方规格书。
| 过高电压可能损坏主板，建议逐步提高，并测试稳定性。
| 注意事项:
超频存在风险，请谨慎操作。
超频前请备份系统数据，并确保有足够的散热。
建议逐步提高参数，并测试稳定性。
如果出现系统不稳定或蓝屏，请降低参数并重新测试。
请参考内存型号和主板支持情况，调整参数。
