3800内存最佳时序设置

对于 3800MHz 内存，最佳时序设置将因主板、CPU 和内存模块的特定配置而异。然而，以下是一些常用的指南：
主要时序（主时序）：
CL（时钟周期）：14-16
tRCD（读取至命令延迟）：18-20
tRP（行预充电时间）：18-20
tRAS（行地址选通时间）：32-36
辅助时序：
tRC（行循环时间）：56-60
tRFC（刷新周期）：320-400
tRFC2（2T 刷新周期）：320-420
tFAW（激活至等待时间）：32-36
其他时序：
tWTR（写入至读取延迟）：8-10
tWR（写入恢复时间）：12-14
tRRD（读后激活到读延迟）：4-6
tRRD_L（读后激活到读延迟（低））：4-6
电压：
DRAM 电压：1.35V-1.40V
建议：
从较宽松的时序（例如 CL16-20-20-36）开始，并逐渐收紧时序（例如 CL14-18-18-32），直到系统不稳定。
使用主板的 BIOS 或内存超频工具来调整时序。
稳定性测试内存以确保没有错误。
请参阅主板和内存模块制造商的建议，因为最佳时序可能因具体产品而异。
注意：
这些只是建议，最佳时序可能因您的系统配置而异。
过紧的时序可能会导致系统不稳定或性能下降。
请在调整内存设置之前备份您的重要数据。