内存时序对照表
| 时序参数 | DDR4 | DDR5 |
|---|---|---|
| CAS Latency (CL) | 15-19 | 12-16 |
| Row Address to Column Address Delay (tRCD) | 15-20 | 12-16 |
| Row Precharge Time (tRP) | 15-20 | 12-16 |
| Row Active Time (tRAS) | 30-40 | 28-34 |
| Refresh Cycle Time (tREFI) | 7.8 us | 7.8 us |
| Bank Interleave Burst Length | 8 | 16 |
| Command Rate | 1T | 2T |
| Burst Length | 8 | 16 |
内存时序对照表介绍
内存时序是一组参数，用于定义计算机内存单元的性能特征。 这些参数影响内存访问延迟和带宽。
CAS延迟 (CL)：从发出读取或写入命令到可以访问内存单元数据所经过的时间。
行地址到列地址延迟 (tRCD)：从指定行地址到指定列地址所经过的时间。
行预充电时间 (tRP)：从关闭行操作到可以重新激活该行所经过的时间。
行激活时间 (tRAS)：从激活行到可以读取或写入数据所经过的时间。
刷新周期时间 (tREFI)：内存刷新周期持续的时间。
银行交错突发长度：在同一内存芯片内的不同银行之间交错突发访问数据的长度。
命令速率：内存控制器的时钟速度与内存模块时钟速度之间的比率。
突发长度：从内存模块读取或写入的数据块大小。
较低的时序值通常会导致更快的内存性能，但成本也更高。 选择最佳的内存时序取决于特定应用程序对内存带宽和延迟的要求。
