内存时序c30与c34的差距
内存时序描述了内存模块在执行读取或写入操作时需要的延迟时间。 c30和c34是两种常见的内存时序，它们在延迟性能上存在差异。
时序数值
c30时序表示为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，而c34时序表示为“CL-tRCD-tRP-tRAS-tRFC”。 CL（CAS延迟）表示从发出读取命令到读取数据可用所需的时间。 tRCD（行地址至列地址延迟）是在发出列地址命令后内存模块准备行所需的时间。 tRP（行预充电时间）是行预充电所需的时间。 tRAS（激活至预充电延迟）是行激活后保持激活状态所需的时间。 tRFC（刷新周期）是刷新内存所需的时间。
延迟差异
c34内存时序在每个延迟值上通常比c30内存时序高。 这导致c34内存模块在执行读取和写入操作时需要更长的延迟时间。 例如，具有c30时序的内存模块可能具有CL15-tRCD18-tRP18-tRAS36，而具有c34时序的内存模块可能具有CL17-tRCD20-tRP20-tRAS40。
影响
较高的内存时序会增加延迟时间，从而影响系统的整体性能。 对于需要快速内存性能的应用，例如游戏和视频编辑，c30内存时序比c34内存时序更可取。 然而，c34内存时序的成本通常更低，对于对延迟不太敏感的应用来说是一个可行的选择。
