3200内存超4000时序调多少
超频内存可以提升系统性能，但在进行超频之前，需要调整时序参数以确保稳定性。 对于 3200 内存超频至 4000，推荐以下时序设置：
主要时序：
CL（CAS 延迟）：18或19
tRCD（行地址到列地址延迟）：22或23
tRP（行预充电时间）：22或23
tRAS（行激活时间）：36或37
次要时序：
tRFC（刷新命令时间）：460或更高
tRC（行循环时间）：52或更高
tWR（写入恢复时间）：12或13
tRTP（读到预充电延迟）：10或11
其他时序：
相位校准延迟（tPH）：默认为 0，不建议修改
时钟使能延迟（tCK）：默认为 0，不建议修改
电压调整：
推荐将内存电压提升约 0.1-0.2V。
注意事项：
不同内存体质可能有不同的最佳时序设置，需要通过试错来确定最稳定和性能最优的时序。
超频可能会降低内存寿命，因此建议谨慎进行。
在调整时序之前，请确保主板支持 4000MT/s 内存频率。
超频后，请运行内存稳定性测试以验证其可靠性。
示例时序设置：
CL：18
tRCD：22
tRP：22
tRAS：37
tRFC：460
tRC：52
tWR：12
tRTP：10
