内存条怎么改时序
| 参数 | 含义 | 如何修改 |
|---|---|---|
| CAS Latency (CL) | 内存CAS延迟时间，即访问内存所需的时间 | 在BIOS中找到DRAM Timing，调整CL值，通常越低越好 |
| Row Active Delay (tRAS) | 内存行地址选通延迟，即从关闭到下一个时钟周期开始所需的时间 | 在BIOS中调整tRAS值，通常越低越好 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 内存行地址选通脉冲预充电时间，即关闭一个内存行到预充电下一个内存行所需的时间 | 在BIOS中调整tRP值，通常越低越好 |
| Row to Column Delay (tRCD) | 内存行地址传输到列地址的延迟时间，即从访问内存行到访问内存列所需的时间 | 在BIOS中调整tRCD值，通常越低越好 |
| Refresh Rate | 刷新率，即内存刷新的频率 | 在BIOS中调整刷新率，通常与内存频率有关 |
| Memory Frequency | 内存频率，即内存的工作速度 | 在BIOS中调整内存频率，通常与内存类型和时序有关 |
