内存3600超频参数
时序（CAS Latency）：
CL16 或更低，建议 CL14-16
最佳时序取决于内存模块的芯片和设计
电压（V）：
1.35V-1.45V，取决于内存模块
建议从 1.35V 开始，逐步增加电压，直到系统稳定
频率（MHz）：
3600MHz
确保主板和 CPU 支持此频率
子时序：
tRCD（行地址到指令地址）：14-18
tRP（行前充电时间）：12-15
tRAS（行主动至预充电时间）：28-32
tRFC（刷新周期时间）：350-450
高级时序：
tRC（行循环时间）：52-56
tWR（写入恢复时间）：12-16
tRTP（行到行预充电时间）：6-8
DRAM 电压（VDD）：
1.2V-1.35V，建议 1.25V-1.3V
SOC 电压（VDDCR）：
1.05V-1.2V，建议 1.05V-1.15V
其他建议：
使用经过验证的内存模块列表 (QVL)
启用 XMP 或手动调整时序
进行压力测试以确保稳定性
逐步增加电压和时序，直到系统稳定
密切监控系统温度
注意：超频内存可能会导致系统不稳定或损坏。 在超频之前，请确保了解潜在的风险并采取适当的预防措施。
